电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 | 功率 - 最大值 | 150mW |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA | 安装类型 | 表面贴装型 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 68 @ 5mA,5V | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 | 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
UMH9NFHATN 是 ROHM(罗姆)公司推出的一款高性能数字晶体管,采用表面贴装型封装(SOT-363),由两个 NPN 晶体管组成,专为多种应用场景提供高效的电流放大和开关功能。该组件在电子设计中具备极为重要的角色,可以有效地管理信号的放大和切换,同时也适合用于便携式和高频应用。
电阻器参数
功率与电压
电流与频率
饱和压降
增益特性
封装信息
UMH9NFHATN 作为数字晶体管,拥有广泛的应用领域。其优异的频率响应及高增益特性使其成为以下应用的理想选择:
高性能: 该产品在较高频率下仍能保持良好的线性和开关性能,适合复杂的信号处理需求。
小型化设计: UMT6封装方式不仅有效节省了电路板空间,还兼具良好的散热性能,适合高密度安装的电子产品。
低功耗特性: 在低功耗状态下仍然能够提供100mA 的集电极电流,非常适合需要电池供电的应用。
简单的设计流程: 内置的预偏置功能使得设计工程师可以简化电路设计,减少外部组件的使用,降低设计复杂性。
UMH9NFHATN 是 ROHM 推出的一款高效、可靠且具有高频性能的数字晶体管,由两个 NPN 晶体管组成,采用 SOT-363 封装,适合多种高科技应用。凭借其良好的电气特性和小型化设计,UMH9NFHATN 为现代电子产品的性能提升和空间优化提供了极大的支持。无论是在消费电子、通信设备还是工业自动化领域,该晶体管都展现出了出色的应用潜力。