UMH9NFHATN 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

UMH9NFHATN

商品编码: BM0004082128
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
UMT6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置 SOT-363
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.61
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.61
--
200+
¥0.393
--
1500+
¥0.342
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

UMH9NFHATN参数

电阻器 - 发射极 (R2)47 千欧功率 - 最大值150mW
频率 - 跃迁250MHz电压 - 集射极击穿(最大值)50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 250µA,5mA安装类型表面贴装型
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)68 @ 5mA,5V电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电阻器 - 基极 (R1)10 千欧晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极截止(最大值)500nA

UMH9NFHATN手册

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UMH9NFHATN概述

ROHM UMH9NFHATN 产品概述

一、产品简介

UMH9NFHATN 是 ROHM(罗姆)公司推出的一款高性能数字晶体管,采用表面贴装型封装(SOT-363),由两个 NPN 晶体管组成,专为多种应用场景提供高效的电流放大和开关功能。该组件在电子设计中具备极为重要的角色,可以有效地管理信号的放大和切换,同时也适合用于便携式和高频应用。

二、关键技术参数

  1. 电阻器参数

    • 发射极电阻(R2): 47kΩ
    • 基极电阻(R1): 10kΩ
  2. 功率与电压

    • 最大功率: 150mW
    • 集射极击穿电压: 50V(最大值)
  3. 电流与频率

    • 集电极电流(Ic): 100mA(最大值)
    • 电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
    • 跃迁频率: 250MHz
  4. 饱和压降

    • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV @ 250µA,5mA
  5. 增益特性

    • DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 @ 5mA,5V
  6. 封装信息

    • 封装类型: UMT6(SOT-363)

三、应用领域

UMH9NFHATN 作为数字晶体管,拥有广泛的应用领域。其优异的频率响应及高增益特性使其成为以下应用的理想选择:

  • 消费电子: 广泛应用于智能手机、平板电脑、数码相机、电视等设备中,用于信号的放大和切换。
  • 嵌入式系统: 适用于各种嵌入式应用,如物联网(IoT)设备、可穿戴设备等。
  • 通信设备: 该晶体管在数据传输和信号处理链路中发挥着关键作用,是无线和有线通信系统的重要组成部分。
  • 行业控制及自动化: 在工业自动化、控制系统及传感器应用中,UMH9NFHATN 可以有效控制电流和信号,确保系统的稳定性和可靠性。

四、产品特点

  1. 高性能: 该产品在较高频率下仍能保持良好的线性和开关性能,适合复杂的信号处理需求。

  2. 小型化设计: UMT6封装方式不仅有效节省了电路板空间,还兼具良好的散热性能,适合高密度安装的电子产品。

  3. 低功耗特性: 在低功耗状态下仍然能够提供100mA 的集电极电流,非常适合需要电池供电的应用。

  4. 简单的设计流程: 内置的预偏置功能使得设计工程师可以简化电路设计,减少外部组件的使用,降低设计复杂性。

五、总结

UMH9NFHATN 是 ROHM 推出的一款高效、可靠且具有高频性能的数字晶体管,由两个 NPN 晶体管组成,采用 SOT-363 封装,适合多种高科技应用。凭借其良好的电气特性和小型化设计,UMH9NFHATN 为现代电子产品的性能提升和空间优化提供了极大的支持。无论是在消费电子、通信设备还是工业自动化领域,该晶体管都展现出了出色的应用潜力。