BSS84
BSS84参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 欧姆 @ 100mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 50V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.3nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 73pF @ 25V |
| 基本产品编号 | BSS84 |
BSS84手册
BSS84概述
产品概述：BSS84 P沟道MOSFET
一、引言
在现代电子电路设计中，场效应管（MOSFET）作为一种重要的开关和放大器件，被广泛应用于电源管理、信号放大以及模拟与数字电路中。BSS84是ON Semiconductor公司推出的一款P沟道MOSFET，以其优异的性能和广泛的应用场景成为市场上颇具竞争力的产品。本文将详细介绍BSS84的技术指标、应用领域以及设计注意事项。
二、基本参数
BSS84是一款表面贴装型MOSFET，封装形式为SOT-23-3。其基本参数如下：
- 制造商： ON Semiconductor
- 零件状态： 有源
- FET类型： P沟道
- 技术： MOSFET（金属氧化物）
- 电流 - 连续漏极（Id）： 130mA（在25°C的环境温度下）
- 驱动电压（Vgs）： 5V
- 导通电阻（Rds On）： 最大10欧姆（在100mA、5V时）
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）： 最大2V（在1mA时）
- 最大栅源电压（Vgs）： ±20V
- 最大功率耗散： 360mW（在环境温度下）
- 工作温度范围： -55°C到150°C（TJ）
- 漏源电压（Vds）： 50V
- 输入电容（Ciss）： 最大73pF（在25V时）
- 栅极电荷（Qg）： 最大1.3nC（在5V时）
三、性能特点
高功率散热能力： BSS84具有高达360mW的功率耗散能力，适合负载电流需求较大的应用场景。
低导通电阻： 在100mA电流和5V驱动电压下，最大Rds On为10欧姆的低值使得该器件在开关状态下的功耗大大降低，进而提高了系统的整体能效。
广泛的工作温度范围： BSS84的工作温度范围从-55°C到150°C，使其能够在极端环境下稳定工作，适合汽车、工业等严苛应用。
小巧的封装： SOT-23-3封装形式便于在空间有限的电路板上实现紧凑设计，增强了设备的集成度。
导通特性良好： 该器件的栅极阈值电压（Vgs(th)）为最大2V，意味着它在较低的栅电压下即可实现导通，方便设计师在电路中选择合适的驱动电压级别。
四、应用领域
BSS84被广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理： 用于开关电源、线性稳压器中，提供高效的能量转换与管理。
- 信号开关： 可用作各种模拟和数字信号的开关，适用于音视频设备、传感器接口等。
- 负载驱动： 适用于驱动中小功率负载，比如LED、继电器等，使其在家电和工业控制中的应用非常广泛。
- 汽车电子： 由于其宽广的工作温度范围，BSS84适合于汽车电路的设计，能够在多变的环境下正常工作。
五、设计注意事项
在使用BSS84进行电路设计时，设计师应注意以下事项：
电流与功率计算： 确保在工作条件下的连续漏电流（Id）不超过130mA，以维持器件的正常工作与寿命。
散热管理： 尽管BSS84具有较高的功率耗散能力，仍需评估实际应用中的散热需求，以避免器件过热。
封装兼容性： 在PCB设计时，需确保SOT-23-3封装的焊盘设计符合制造要求，以保障可靠的连接。
驱动电压选择： 控制栅极电压以确保正确的导通与关断状态，避免因电压过高造成器件损坏。
六、总结
作为ON Semiconductor提供的高性能P沟道MOSFET，BSS84凭借其出色的技术规格和多样化的应用，适用于广泛的电子设计与开发。凭借优异的导通特性和高功率散热能力，它为各类电路提供了稳定可靠的解决方案，是现代电子设计中不可或缺的优质元件。