NTR1P02LT1G

NTR1P02LT1G 产品概述

一、产品基本信息

NTR1P02LT1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的一款 P-沟道场效应晶体管（MOSFET），该产品专为高效能和小型化设计需求而工程优化。这款 MOSFET 采用 SOT-23-3（TO-236）封装，具有体积小、安装简便等特点，适用于表面贴装应用。

二、技术参数

NTR1P02LT1G 的主要参数和特性如下：

1. 电流和功率：

   • 该 MOSFET 在 25°C 时的连续漏极电流（Id）为 1.3 A，功率耗散的最大值为 400 mW（在环境温度下）。

2. 漏源电压：

   • 漏源电压（Vdss）最大为 20 V，适应各种低压供电的应用需求。

3. 导通电阻：

   • 在 4.5 V 驱动电压下，最大导通电阻为 220 毫欧 @ 750 mA ，这使得该器件在导通时具有较低的能量损耗。

4. 栅极电压：

   • 栅极源电压（Vgs）的最大值为 ±12 V，以及在 250 µA 的条件下，阈值电压（Vgs(th)）最大值为 1.25 V，确保其对输入信号的敏感性和快速响应能力。

5. 电容特性：

   • 当 Vgs 为 4 V 时，栅极电荷（Qg）最大值为 5.5 nC，输入电容（Ciss）在 5 V 时最大为 225 pF，这些特性使得其在开关应用中表现优异。

6. 工作温度范围：

   • NTR1P02LT1G 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于高温、高可靠性的环境。

三、应用领域

NTR1P02LT1G 的特性使其适合在多种电子设备和电路中应用，主要应用领域包括：

• 负载开关：该 MOSFET 可用于低压负载开关应用，通过简单的控制信号实现高电流负载的开关控制。

• 电源管理：在电源管理电路中，它能以较低的导通电阻和高效率工作，帮助提升整体系统效率。

• LED 驱动：由于其出色的性能，该 MOSFET 可用于驱动 LED 灯或其他需要快速开关的光源。

• 电池供电设备：在移动设备和便携式电子产品中，降低功耗和提高可靠性至关重要，NTR1P02LT1G 可有效延长电池续航。

• 电机控制：在小型电机和执行器控制中，该 MOSFET 可用于高效的电源切换，减少发热和提高效率。

四、结论

总之，NTR1P02LT1G 是一款性能优异、适用广泛的 P-沟道 MOSFET。它的小型化设计和可靠性使其在现代电子设计中变得越来越重要，成为各种低功耗和高效率应用的理想选择。无论是在传统电源管理还是新兴的 LED 驱动和电池供电设备领域，NTR1P02LT1G 都展示了极高的应用价值。无论设计需求是针对商业产品还是针对工业应用，这款 MOSFET 都能够满足所需的规格要求，为设计工程师提供可靠的元器件方案。