BSS127H6327 产品实物图片
BSS127H6327 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSS127H6327

商品编码: BM0003929353
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-SOT23-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) BSS127H6327 SOT-23-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.81
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.81
--
200+
¥0.558
--
1500+
¥0.507
--
3000+
¥0.475
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSS127H6327参数

empty-page
无数据

BSS127H6327手册

empty-page
无数据

BSS127H6327概述

BSS127H6327 产品概述

一、基本信息

产品名称: BSS127H6327
品牌: Infineon(英飞凌)
封装类型: PG-SOT23-3
类型: 场效应管 (MOSFET)

二、产品介绍

BSS127H6327是一款由Infineon(英飞凌)公司生产的N沟道场效应管(MOSFET),采用了PG-SOT23-3封装。这款MOSFET因其优异的电气特性、紧凑的封装以及广泛的应用场景,成为市场上颇受欢迎的器件之一。MOSFET是一种利用电场效应控制导电性的重要半导体器件,广泛应用于开关电源、类比信号处理、电路保护以及各种电源管理系统中。

三、电气特性

BSS127H6327的主要特性包括其较低的导通电阻(RDS(on))、较高的击穿电压(V(BR)DSS)及其较快的开关速度。以下是主要电气参数:

  1. 导通电阻 (RDS(on)): BSS127H6327在VGS = 10V时,其典型值可低至数十毫欧,使其具备优良的导电特性,适合高效能的开关应用。

  2. 最大漏极-源极电压 (V(BR)DSS): 符合高压需求,BSS127H6327的最大V(BR)DSS为60V,能够满足大部分工业应用所需。

  3. 最大漏极电流 (ID): 在额定条件下,该器件的漏极电流可达到300mA。这一特性使得BSS127H6327能够用于需要较大电流的负载驱动。

  4. 输入电容 (Ciss): 其较低的输入电容使得BSS127H6327能够实现较快的开关速度,适用于高频开关电源和信号处理应用。

  5. 工作温度范围: BSS127H6327的工作温度范围较广,从-55°C到+150°C,使其可在各种苛刻环境下稳定工作。

四、应用领域

由于其优异的电气特性和可靠性,BSS127H6327广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源:在运行效率提高的同时,降低了待机损耗,是开关电源设计中的重要元件。

  2. 电机驱动:由于其能够处理高功率和高电压,BSS127H6327常用于直流电机的驱动电路中。

  3. 电池管理系统:在电池充电和保护电路中,BSS127H6327起到开关和保护的作用。

  4. 汽车电子:在汽车电子设备中,如动力系统、照明和信息娱乐系统中,该器件也能找到其身影。

  5. 类比开关:用于模拟信号开关的应用,如音频开关和信号调理电路。

五、封装特点

BSS127H6327采用PG-SOT23-3封装,具有以下优势:

  1. 小型化: 设计紧凑,有助于减少电路板面积,适合空间受限的应用。

  2. 良好的散热性能: 封装设计有助于快速散热,确保MOSFET在高负载条件下工作的可靠性。

  3. 易于焊接: SOT-23封装适用于自动化贴装,一定程度上降低了生产成本。

六、结论

综合来看,BSS127H6327作为一款高效、可靠的N沟道MOSFET,满足现代电子产品对性能与能效的双重要求。无论是在开关电源、电机驱动还是在汽车电子中,BSS127H6327都以其优越的电气特性和灵活的应用范围,为各种电源管理提供了强有力的支持。 Infineon作为领先的半导体制造商,凭借其卓越的技术背景和产品质量,确保了BSS127H6327的市场竞争力和持续的可靠性。无论是设计工程师还是产品开发人员,BSS127H6327都是值得信赖的选择。