MBRA320T3G

MBRA320T3G 产品概述

产品简介

MBRA320T3G是安森美半导体（ON Semiconductor）推出的一款高性能肖特基二极管，广泛应用于各种电子电路中。该产品以其优越的电气性能和可靠的工作特性，在需要快速反向恢复的应用场景中表现出色。凭借小型化的SMA（DO-214AC）封装，MBRA320T3G特别适合表面贴装技术（SMT），能够满足密集布局和高性能设计的要求。

主要参数

• 二极管类型: 肖特基二极管
• 最大反向电压（Vr）: 20V
• 平均整流电流（Io）: 3A
• 正向电压（Vf）: 500mV（在3A时）
• 反向泄漏电流: 2mA（在20V时）
• 恢复时间: 快速恢复，<= 500ns（在大于200mA时）
• 工作结温范围: -65°C ~ 125°C
• 封装类型: SMA（DO-214AC）
• 安装方式: 表面贴装形式

性能特征

作为一款肖特基二极管，MBRA320T3G具有低正向电压降、高效能和快速开关特性。其在3A正向电流下的正向电压仅为500mV，显著降低了功耗并提升了电路效率。在20V的条件下，反向泄漏电流稳定在2mA，为设备提供了良好的耐压性能和效率。

此外，该二极管的快速恢复时间（<= 500ns）使其在高频开关应用中尤为优越。这种特性使MBRA320T3G成为高效率逆变器、电机驱动、电源转换器及其他对开关速度有严格要求的电子设备中的理想选择。

适用场合

MBRA320T3G尤其适用于下列场合：

1. 开关电源: 在高频开关电源中，MBRA320T3G可以减少能量损失，实现高效率的电源转换。
2. 逆变器和电机控制: 该二极管在逆变器和电机驱动应用中提供高效的整流功能，确保电路的高效和稳定运行。
3. 电池管理系统: 其低功耗特性使得MBRA320T3G能够在电池充放电过程中降低能量损耗，提高整体系统的能效。
4. 信号整流及保护电路: 由于其快速恢复特性，可用于信号整流和过压保护电路中，有效保护后续电路不受损伤。

环境适应性

MBRA320T3G具备广泛的工作温度范围（-65°C至125°C），使其能够在多种极端环境中正常工作，确保设备的长期稳定性和可靠性。尤其在汽车、工业控制等领域，该元件的抗温能力和抗振性能使其成为首选元件。

封装便利性

SMA（DO-214AC）封装设计确保了其在高密度PCB布局中的优势。表面贴装形式使其更易于通过自动化的组装设备进行生产，提高了生产效率和可靠性。

总结

MBRA320T3G是一款能够满足现代电子应用对效率、速度和可靠性的需求的肖特基二极管。其以高整流电流、低正向电压和快速恢复特性，成为高频率电源应用的理想选择。无论是在开关电源、逆变器，还是在电池管理系统中，MBRA320T3G凭借其卓越的性能和适应性，为设计工程师提供了可靠的解决方案，能够有效促进产品的性能提升与能效优化。