NTR4171PT1G
NTR4171PT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 75 毫欧 @ 2.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±12V |
| 功率耗散（最大值） | 480mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15.6nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 720pF @ 15V |
| 基本产品编号 | NTR417 |
NTR4171PT1G手册
NTR4171PT1G概述
NTR4171PT1G 产品概述
一、概述
NTR4171PT1G 是由知名半导体制造商 ON Semiconductor 设计和生产的一款 P 通道 MOSFET（场效应管）。其在电源管理和开关应用中展现出高效能和可靠性。凭借其优异的电流承载能力和低导通电阻，NTR4171PT1G 是设计高效电路的理想选择，尤其适用于便携式电子设备、汽车电子和其他需要低功耗的应用。
二、产品特点
高电流承载能力：NTR4171PT1G 可在 25°C 环境温度下持续承载高达 2.2A 的漏极电流（Id），为各种高负载应用提供了有力支持。这使其适用于电机驱动、负载开关和其他需要高电流操作的场合。
低导通电阻：该 MOSFET 在 10V 的栅极电压下，最大导通电阻（Rds(on)）为 75 毫欧，确保在开关时的功耗最小化，从而提升整体系统的效率。
宽电压范围：其漏源电压（Vdss）额定值为 30V，适合各类中低压应用，能够应对日常电子产品和一些工业设备的工作电压需求。
卓越的温度范围：NTR4171PT1G 拥有宽广的工作温度范围，从 -55°C 至 +150°C，能够适应各种恶劣环境下的工作，提高了其适用性和可靠性，非常适合汽车和航空航天等高要求应用。
小型封装设计：采用 SOT-23-3 封装方式，该管件尺寸小，易于表面贴装，使得设计更为紧凑，进一步节省空间，为现代电子设备的小型化做出贡献。
优良的开关特性：在 10V 的栅源电压下，该产品的栅极电荷（Qg）最大值为 15.6nC，优秀的开关速度使其适用于高频率的开关信号控制，适合于开关电源、DC-DC 转换器等应用场合。
三、应用领域
NTR4171PT1G 可广泛用于以下几个领域：
- 消费电子：如智能手机、便携式音响、平板电脑等，由于其低功耗特性，非常适合对电池续航有较高要求的设备。
- 汽车电子：在现代汽车电气系统中，用于电源管理、负载开关等应用，以提高车辆电子设备的效率和可靠性。
- 工业自动化：适合在各种工业设备中作为开关元件，用于驱动继电器、传感器及电机等，确保可靠可靠的控制与监测。
四、总结
NTR4171PT1G 是一款高效、可靠且具备广泛应用潜力的 P 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、高电流承载能力及优良的温度特性，使其在电子设计中成为不可或缺的元件之一。无论是在消费电子还是工业自动化领域，该元件都能提供最佳性能，是开发高效能、可靠系统的理想选择。通过合理应用 NTR4171PT1G，设计师能够满足现代电子产品对功率、效率及尺寸的严苛要求。