NSVBAT54SWT1G
NSVBAT54SWT1G参数
| 二极管配置 | 1 对串联 | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） | 200mA（DC） | 二极管类型 | 肖特基 |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 800mV @ 100mA |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 30V | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2µA @ 25V | 反向恢复时间 (trr) | 5ns |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
NSVBAT54SWT1G手册
NSVBAT54SWT1G概述
产品概述：NSVBAT54SWT1G 肖特基二极管
一、基本信息
NSVBAT54SWT1G是一款高性能的肖特基二极管，采用表面贴装型（SMD）封装，型号为SOT-323。这款二极管专为需要高效率和快速开关特性的应用而设计，其结构布局为1对串联式，能够在较高温度和电流条件下稳定运行，符合现代电子设备对高可靠性和小型化的需求。
二、主要性能参数
整流电流：每个二极管的平均整流电流（Io）为200mA（DC），意味着它能够适应各种负载条件，进行可靠的电流整流和控制。
正向电压：在100mA的正向电流下，该二极管的正向压降（Vf）为800mV，这在肖特基二极管中是一个较低的数值，有助于降低功率损耗，从而提升整体系统的能效。
反向电压：其最大直流反向电压（Vr）达到30V，展现出了良好的反向电压承受能力，适合用于各种中低压直流电路。
反向泄漏电流：在25V的反向电压条件下，反向泄漏电流（Ir）仅为2µA，表示该器件在静态状态下的功耗微弱，这对于实现高效电源设计至关重要。
工作温度范围：设备的结温工作范围为-55°C至150°C，保证了在极端环境条件下也能够正常工作，这使得NSVBAT54SWT1G在汽车电子、工业控制和消费电子等严苛应用场合中都能展现其适应性。
反向恢复时间：其反向恢复时间（trr）为5ns，符合快速开关的特点，能够支持高频应用，有助于提高电路的开关效率和稳定性。
三、封装与安装类型
NSVBAT54SWT1G采用SOT-323封装，具有小型且轻便的特性，适合表面贴装（SMD）技术的应用，特别是在空间受限的电子设备中，该封装可以有效节省PCB空间，提高装配密度。
四、应用场景
NSVBAT54SWT1G因其卓越的性能参数和稳定的工作特性，广泛用于以下几类应用中：
电源管理：作为整流二极管，广泛应用于开关电源（SMPS）、线性电源和其他电源转换电路中，有助于提升电源效率并减少热量产生。
数字电路：在各种数字电路中用作保护二极管，以防止因反向电流对敏感器件造成损害。
汽车电子：在汽车电路中，LSVBAT54SWT1G可被用作高效整流器和保护二极管，满足高温和高压环境下的工作要求。
工业控制：在传感器和控制系统中提供过电压保护和整流功能，确保系统的稳定性和长寿命。
消费电子：适用于手机、平板电脑、音频设备等多种消费电子产品，支持其高效能和低功耗设计。
五、总结
总之，NSVBAT54SWT1G是一款设计精良的肖特基二极管，凭借其低正向压降、极小的反向泄漏电流和超快的反向恢复时间，成为了电源管理和保护电路的重要选择。其广泛的工作温度范围和卓越的封装特性，使其能够在多种应用环境下发挥作用，是现代电子设计中不可或缺的核心元件之一。对电子工程师和设计人员而言，选择NSVBAT54SWT1G将极大地提升系统性能与能效，满足市场对高可靠性电子产品的需求。