晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 700mV @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 160 @ 100mA,1V |
功率 - 最大值 | 300mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
SBC817-25LT1G 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的 NPN 晶体管,专为满足高性能和紧凑型电子设计的需求而设计。该器件适用于各种应用,包括开关电源、放大器电路及场效应晶体管(FET)的驱动等,具有出色的电气性能和可靠性。SBC817-25LT1G 的封装采用广泛使用的 SOT-23-3(TO-236)表面贴装设计,使其具有良好的兼容性和较小的占用空间,在现代电子产品的小型化趋势中表现突出。
SBC817-25LT1G 的设计使其适合应用在以下领域:
SBC817-25LT1G 具有多项优越性能,使其在市场上脱颖而出:
SBC817-25LT1G NPN 晶体管以其优良的电性能、宽泛的应用范围及适合现代电子设计的优越特性,成为各类电子产品中不可或缺的组成部分。其高效率、低功耗及小型方便的设计,使其在众多应用场景中都具备了极高的竞争力,是设计工程师在选择晶体管时的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,SBC817-25LT1G 都能提供可靠的性能与卓越的效果。