FDY102PZ
FDY102PZ参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 830mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 500 毫欧 @ 830mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.1nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 135pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 625mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SC-89-3 |
| 封装/外壳 | SC-89，SOT-490 |
FDY102PZ手册
FDY102PZ概述
FDY102PZ 产品概述
FDY102PZ 是一种高性能 P 沟道 MOSFET（场效应管），由安森美（ON Semiconductor）公司推出，专为低电压和低功耗应用设计。其主要特点包括优良的电性能、紧凑的封装以及广泛的工作温度范围，适合用于各种电子电路和系统中的开关和线性调节应用。
1. 基本参数与特性
FDY102PZ 的漏源电压（Vdss）为 20V，使其适用于低电压应用，而连续漏极电流（Id）最大可达 830mA（在环境温度 25°C 时）。这使得FDY102PZ适用于需要中等电流处理的场景，比如电机驱动、负载开关和电源管理等。
在驱动电压方面，该器件具有可接受的范围: 最大 Rds On下电流分别为 1.5V 和 4.5V，可兼容较为低压的驱动电路，同时提供较低的导通电阻（Rds On），在830mA时最大值为 500 毫欧。这使得 FDY102PZ 能够有效降低功耗，提高整体效率，尤其在电池供电的便携式设备中表现尤为突出。
2. 开关特性
FDY102PZ 的栅极阈值电压（Vgs(th)）在 250µA 下的最大值为 1V，这意味着在较低的栅极驱动电压下，器件即可开启，非常适合于低电压逻辑控制的应用。此外，其在 4.5V时的栅极电荷（Qg）的最大值为 3.1nC，这确保了快速的开关响应，非常适用于高频开关应用。
3. 封装与散热性能
FDY102PZ 采用 SC-89-3 表面贴装型封装，符合现代电子设计对小型化和高密度布线的要求。SC-89 封装的外形紧凑，不仅节省了 PCB 版面的空间，而且通过其良好的热性能设计，能够在最大功率耗散为 625mW 的情况下保持稳定的工作状态。其工作温度范围从 -55°C 到 150°C，保证了在多种恶劣环境下的可靠性，适用于汽车、工业控制和消费电子等领域。
4. 应用场景
FDY102PZ 的多项特性使其适用于广泛的应用场景，包括但不限于：
负载开关：由于其较低的导通电阻和较高的漏极电流能力，FDY102PZ 被广泛用于电源管理中的负载开关，能够控制设备的开关状态，提高电源效率。
电池管理：在便携式设备中，FDY102PZ 可以用于电源管理 IC，以实现高效的充电和放电控制，最大限度地降低能耗并延长电池使用寿命。
电机驱动：在电机控制应用中，FDY102PZ 的快速开关特性和高可靠性使其成为驱动直流电机和步进电机的理想选择。
信号调节：FDY102PZ 由于其高输入电容（Ciss）能够有效屏蔽，并且在较高频率下表现良好，适用于高速数字电路中的信号调节。
5. 小结
总之，FDY102PZ 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET，凭借其优越的电学特性和适应性，在电子设备设计中展现出了优秀的性价比。其广泛的应用场景和可靠的性能参数，使得 FDY102PZ 成为现今各种电子系统中不可或缺的重要元器件。设计师和工程师可以放心地将其集成到他们的产品中，以实现高效、可靠和创新的电源管理和控制解决方案。