制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 180mV @ 200mA,2A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 250 @ 500mA,2V | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V |
功率 - 最大值 | 460mW | 基本产品编号 | NSS202 |
NSS20200LT1G是由ON Semiconductor(安森美)公司推出的一款高性能PNP型双极性晶体管(BJT),专为通用开关和放大应用而设计。采用SOT-23-3(TO-236)封装,它在空间紧凑的同时保证了出色的电气性能。NSS20200LT1G的规格使其在工业、消费电子和汽车电子等多种领域中都能找到广泛的应用。
NSS20200LT1G在电流和电压方面表现出色。它的集电极最大值为2A,适合高电流电路应用,同时,Vce饱和压降低至180mV,能够有效降低功耗,使其在高电流工作时仍能保持较低的热输出,延长工作可靠性。此外,其集电极截止电流的低值(100nA)有效降低了静态功耗,提高了电路的整体效率。
由于其优越的性能,NSS20200LT1G可在多种场合中应用:
NSS20200LT1G采用表面贴装型设计,方便在现代自动化制造中实现高效的贴装工艺。SOT-23-3封装体积小,适合空间受限的电子产品设计。其工作温度范围宽广,使得用户在选择合适的散热方案时更加灵活。
在使用NSS20200LT1G时,需要注意其电压和电流的最大限制。设计电路时,确保峰值电流、功率和温度不会超过其最大额定值,从而保证器件的正常工作和长久使用。
NSS20200LT1G是一款高性能PNP型三极管,凭借其优秀的电气特性和广泛的应用领域,成为电子设计工程师的理想选择。无论是在工业控制、消费电子还是汽车电子领域,其出色的温度稳定性和小巧的封装形式都使其成为现代电子设备中重要的组成部分。通过合理的 circuit design 和元器件选择,NSS20200LT1G能够为开发者提供出色的性能表现与设计灵活性。