特性 | 施密特触发器 | 安装类型 | 表面贴装型 |
逻辑电平 - 高 | 1.8V ~ 3.6V | 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟 | 4.9ns @ 5V,50pF |
工作温度 | -55°C ~ 125°C | 电流 - 静态(最大值) | 1µA |
逻辑电平 - 低 | 0.4V ~ 1.2V | 电压 - 供电 | 1.65V ~ 5.5V |
输入数 | 2 | 逻辑类型 | 反相器 |
电流 - 输出高、低 | 32mA,32mA | 电路数 | 2 |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
产品概述:NLV27WZ14DFT2G
NLV27WZ14DFT2G是一款集成施密特触发器的反相器,专为对信号进行精确控制与处理而设计。该器件由安森美半导体(ON Semiconductor)制造,适用于多种应用场景,尤其是在需要高性能逻辑门的数字电路中。
施密特触发器设计: 作为施密特触发器,该器件具有良好的抗干扰能力,能够有效地对输入信号进行清洗和整形,从而消除噪音和不必要的振荡。这一特性在高速电路和噪声环境中尤为重要,使其成为信号处理和波形整形的理想选择。
电源电压范围: NLV27WZ14DFT2G的电压供电范围为1.65V至5.5V,支持低电压应用,使其适用于便携式和电池供电设备,同时仍可在更高电压系统中使用。这种灵活性使其适应当前多种电子设计的需求。
逻辑电平: 该器件的逻辑电平为低电平(0.4V ~ 1.2V)和高电平(1.8V ~ 3.6V),这允许器件在较宽范围的逻辑电平中进行工作,为不同的应用提供了兼容性。
高速性能: 在5V、50pF的负载条件下,NLV27WZ14DFT2G的最大传播延迟为4.9ns,具有较高的工作速度。这使得该器件非常适合高频率信号的处理,能够满足现代数字电路对时延的严格要求。
功耗特性: 在静态条件下,该器件的最大静态电流为1µA,意味着其在待机状态下的功耗极低。这对于需要长时间运行或电池供电的装置至关重要,能够有效延长设备的续航时间。
输出能力: NLV27WZ14DFT2G支持高达32mA的输出电流,且在高、低输出状态下均能提供相同的电流能力。这为在驱动负载及匹配后续电路提供了良好的支持,增加了设计的灵活性。
封装与安装: 本产品的封装形式为SC-88/SC70-6/SOT-363,采用表面贴装设计,非常适合现代紧凑型电子产品的需求。这种小型化封装使得在电路板上更容易布局,尤其是在空间有限的应用中。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围广泛,从-55°C至125°C,表现出良好的环境适应性。无论是在严酷的环境条件下还是在高温、湿度变化大的应用中,NLV27WZ14DFT2G均能保持稳定运行。
由于其广泛的电压供电范围、高速和低功耗特性,NLV27WZ14DFT2G在多个领域具有广泛的应用可能,包括但不限于:
整体来看,NLV27WZ14DFT2G是一款全面兼具高性能和低功耗的施密特触发器反相器,其出色的电气特性和广泛的适用性使其在当今高速和高集成度的电子设计中占据了重要地位。无论是在自动化、通信,还是在消费电子产品领域,该器件均能为设计师提供可靠的解决方案,推动现代电子技术的发展。