ESD7351XV2T1G 产品实物图片
ESD7351XV2T1G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ESD7351XV2T1G

商品编码: BM0127452922
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOD-523
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
Diode: TVS; 0.15W; 5V; SOD523; reel,tape; Features: ESD protection
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.592
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.592
--
200+
¥0.382
--
1500+
¥0.332
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

ESD7351XV2T1G参数

类型齐纳单向通道1
电压 - 反向断态(典型值)3.3V(最大)电压 - 击穿(最小值)5V
电源线路保护应用RF 天线
不同频率时电容0.43pF @ 1MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-79,SOD-523
供应商器件封装SOD-523

ESD7351XV2T1G手册

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ESD7351XV2T1G概述

产品概述:ESD7351XV2T1G

一、产品定义与概述

ESD7351XV2T1G 是 ON Semiconductor(安森美)推出的一款高性能齐纳二极管,主要应用于电气设备中的静电放电(ESD)保护,特别是在 RF 天线等高频电路中。该器件采用小尺寸的 SOD-523 封装,适合于表面贴装技术,为现代电子设备提供高效的空间利用率和优越的电气性能。

二、技术参数

  • 类型:齐纳二极管
  • 单向通道:1
  • 反向断态电压(V_R):典型值 3.3V(最大)
  • 击穿电压(V_br):最小值 5V
  • 功率:0.15W
  • 工作温度范围:-55°C 至 150°C
  • 封装形式:SOD-523
  • 安装方式:表面贴装型
  • 不同频率下的电容:0.43pF @ 1MHz
  • 电源线路保护:无
  • 应用领域:RF 天线、电子设备中的 ESD 保护
  • 供货形式:卷带(reel, tape)

三、工作原理

ESD7351XV2T1G 在电路中主要负责保护敏感元器件免受瞬时高压脉冲的影响。其齐纳结构可以有效地限制电压的峰值,确保设备的正常工作。在静电放电事件中,该器件能够迅速响应,吸收多余的电压,并将其引导至地,从而防止损害电路的发生。同时,这款器件具有较低的电容(0.43pF),这使得它在 RF 应用中能保持良好的信号完整性,减少信号衰减和干扰。

四、应用场景

ESD7351XV2T1G 对于需要高电气可靠性的电子产品尤为重要,尤其是在如下场景中:

  1. RF 天线:在无线通信及射频应用中,ESD7351XV2T1G 可作为天线以及其他 RF 部件的 ESD 保护。其低电容特性能够有效保持信号质量,避免高频信号损耗。

  2. 消费电子设备:智能手机、平板电脑、数字相机等消费类产品都对防静电保护有较高的需求。ESD7351XV2T1G 能够提供可靠的保护措施,延长设备的使用寿命。

  3. 工业设备:在各种工业自动化设备中,ESD7351XV2T1G 用于防止静电引起的故障,确保设备的稳定性和安全性。

  4. 医疗设备:在医疗电子设备中,任何静电放电损坏都可能导致故障和安全隐患。使用 ESD7351XV2T1G 可以提升这些设备的耐用性和可靠性。

五、设计考虑

在设计电路时,选用 ESD7351XV2T1G 时需要考虑其额定电压和工作环境。器件的反向断态电压应大于电路中正常工作的电压,同时还要确保其额定功率能够处理可能出现的最大静电放电能量。

对于 RF 应用,优化器件在电路中的布局非常关键,以最小化信号延迟和反射。适当的接地和布线设计能够提高 ESD 防护的效能。

六、总结

总之,ESD7351XV2T1G 作为一款性能卓越的齐纳二极管,不仅提供了高效而可靠的 ESD 保护,还在小巧的封装内实现了低电容的优越性能,适用于各种现代电子产品。在消费电子、RF 通信、工业控制和医疗器械等领域中具有广泛的应用前景,为设计师和工程师在防静电保护设计上提供了强有力的支持。