晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 65V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 650mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 125 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 300mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
SBC856ALT1G 是一款具有高性能特性的 PNP 晶体管,广泛应用于各种电子设备和电路设计中。作为 ON(安森美)品牌的优质产品,SBC856ALT1G 具备出色的电流放大能力和良好的热稳定性,适合多种工业应用。
SBC856ALT1G PNP 晶体管可广泛应用于多个领域,包括但不限于:
SBC856ALT1G 的设计极具优势,拥有低饱和压降和高频率响应特性,使得其在快速切换和信号处理方面表现优秀。这使得其在需要高频率、高效率应用中,成为市场中的优选方案。其宽广的温度工作范围则保证了在极端环境下的可靠性,适合用于汽车电子、工控设备等领域。
综上所述,SBC856ALT1G PNP 晶体管凭借其卓越的电气特性和强大的应用灵活性,成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。无论是作为信号放大器、开关器件还是电源管理部件,它都表现出优异的性能和可靠性,尤其适合对体积和功耗有严格要求的设计。安森美凭借其领先的技术和严格的质量控制,确保了该产品在全球市场中的竞争力,值得设计工程师广泛选用。