SBC856ALT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SBC856ALT1G

商品编码: BM0127452921
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 65V 100mA PNP SOT-23
库存 :
1285(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.664
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.664
--
200+
¥0.428
--
1500+
¥0.373
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SBC856ALT1G参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)65V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)650mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)125 @ 2mA,5V
功率 - 最大值300mW频率 - 跃迁100MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

SBC856ALT1G手册

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SBC856ALT1G概述

产品概述:SBC856ALT1G PNP 晶体管

SBC856ALT1G 是一款具有高性能特性的 PNP 晶体管,广泛应用于各种电子设备和电路设计中。作为 ON(安森美)品牌的优质产品,SBC856ALT1G 具备出色的电流放大能力和良好的热稳定性,适合多种工业应用。

1. 关键参数

  • 类型:PNP(正载流子型)晶体管
  • 电流 - 集电极 (Ic):最大值 100mA,适合多种低功耗应用。
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):65V,支持高电压环境,可应用于要求较高电气隔离的电路。
  • Vce 饱和压降:在 5mA 和 100mA 时最大值为 650mV,确保在开关状态时的功率损耗较低,能够提高整体电路效率。
  • 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO),表明其在关闭状态下具有极低的泄露电流,有助于提高电路的稳定性与可靠性。
  • DC 电流增益 (hFE):最小值125 @ 2mA,5V,提供良好的增益特性,能够在多种应用中实现良好的信号放大效果。
  • 功率 - 最大值:300mW,适用于密集型电路和小型化设计,能够在较低功耗下正常工作。
  • 频率 - 跃迁:100MHz,适合高速开关应用,广泛用于高速数据传输和射频电路。
  • 工作温度范围:-55°C 到 150°C(TJ),在极端工作环境下保持稳定性与可靠性,适合航空、军工等苛刻条件。

2. 封装与安装

  • 封装/外壳:采用 SOT-23-3(TO-236),体积小巧,有利于电路板的空间优化和紧凑设计。
  • 安装类型:表面贴装型(SMD),便于自动化焊接,大幅提高生产效率。

3. 应用场景

SBC856ALT1G PNP 晶体管可广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 信号调节:可用作信号放大器,以增强音频和视频信号的质量。
  • 开关控制:可用作电源开关或驱动小型电机,具备快速响应时间和低功耗特性。
  • 电源管理:在电源稳压器和稳流电路中,SBC856ALT1G 可帮助调节输出电流和电压,从而实现稳定供电。
  • 电子负载:在自动测试和诊断系统中,此晶体管可用作负载开关,以模拟各种工作条件。

4. 性能优势

SBC856ALT1G 的设计极具优势,拥有低饱和压降和高频率响应特性,使得其在快速切换和信号处理方面表现优秀。这使得其在需要高频率、高效率应用中,成为市场中的优选方案。其宽广的温度工作范围则保证了在极端环境下的可靠性,适合用于汽车电子、工控设备等领域。

5. 总结

综上所述,SBC856ALT1G PNP 晶体管凭借其卓越的电气特性和强大的应用灵活性,成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。无论是作为信号放大器、开关器件还是电源管理部件,它都表现出优异的性能和可靠性,尤其适合对体积和功耗有严格要求的设计。安森美凭借其领先的技术和严格的质量控制,确保了该产品在全球市场中的竞争力,值得设计工程师广泛选用。