SBC847BLT1G
SBC847BLT1G参数
| 晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 15nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 300mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
SBC847BLT1G手册
SBC847BLT1G概述
产品概述：SBC847BLT1G
简介
SBC847BLT1G是一款由安森美（ON Semiconductor）制造的NPN型双极性晶体管（BJT），该器件专为高效、可靠的电子电路应用而设计。其小巧的SOT-23-3（TO-236）封装不仅占据了较小的板空间，更使得其在各种电子设备中的集成变得得心应手。SBC847BLT1G具备优良的电气性能和宽广的工作温度范围，适用于各类自动化、通信、计算机、消费电子和工业控制应用。
主要参数
SBC847BLT1G的主要电气参数如下：
- 晶体管类型：NPN
- 集电极电流（Ic）最大值：100mA
- 集射极击穿电压（Vceo）最大值：45V
- 饱和压降（Vce(sat)）最大值：600mV（在5mA和100mA时）
- 集电极截止电流：15nA（ICBO）
- 直流电流增益 (hFE)：最小值为200（在2mA和5V条件下）
- 功率最大值：300mW
- 频率跃迁：100MHz
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装：SOT-23-3（TO-236）
性能特点
高电流增益：SBC847BLT1G在低电流条件下（例如2mA）下仍然能够提供200以上的直流电流增益。这使得其在能够用小输入信号控制大输出信号，从而提高了电路的效率。
低饱和压降：在高频和高电流应用中，饱和压降对功耗影响显著。SBC847BLT1G在5mA与100mA工作下，提供低于600mV的饱和压降，确保了更高效率的能量转换和发热控制。
宽广的工作温度范围：SBC847BLT1G的工作温度范围从-55°C到150°C，符合严苛环境下的应用需求，确保其在高温或低温环境中仍能稳定工作。
超低集电极截止电流：ICBO高达15nA，这意味在关机或休眠状态时，该器件的漏电极限极低，有助于减少电源消耗，增加整体系统的能效。
小型封装：SOT-23-3封装的选择，方便了表面贴装技术（SMT），可以在空间有限的情况下轻松集成，提高了生产效率和设备结构的紧凑性。
应用场景
SBC847BLT1G由于其多项优越特性，广泛应用于如下场景：
- 开关电路：其低饱和压降和高电流增益使其非常适合用于开关控制电路中。
- 放大器：可以用作音频和射频放大器的构件，帮助增强信号的强度。
- 脉冲信号处理：由于其高频响应能力（跃迁频率高达100MHz），非常适合用于数字电路中的脉冲信号处理。
- 电流驱动：适合作为小型马达或继电器的控制驱动器，在自动控制系统中实现开关功能。
- 通信设备：适用于各种无线和有线通信的信号放大和处理。
结论
综上所述，SBC847BLT1G晶体管凭借其优秀的电气性能、宽温度范围及小巧的封装，成为现代电子设计中不可或缺的一部分。无论是用于开关信号、放大器的构建，还是在各种电子设备中提供高效率的电流控制，其表现均能满足严苛的使用要求。选择SBC847BLT1G，将为您的电子产品性能和可靠性提供坚实的基础。