NST847BDP6T5G
NST847BDP6T5G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 45V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 15nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V | 功率 - 最大值 | 350mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-963 |
| 供应商器件封装 | SOT-963 | 基本产品编号 | NST847 |
NST847BDP6T5G手册
NST847BDP6T5G概述
产品概述：NST847BDP6T5G（ON Semiconductor NPN 三极管）
概况 NST847BDP6T5G 是由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款高性能 NPN 型双极结晶体管（BJT）。此产品以其优良的电气性能、安静的操作特性和高可靠性，广泛应用于各种电子电路中，如放大电路、开关电路及其他电子处理应用。
主要特性
高集电极电流: NST847BDP6T5G 可以承载的最大集电极电流为 100mA。这一参数使得其能够在较高的负载条件下稳定工作，适合各类中等功率应用。
高开关电压: 该晶体管的集电极-发射极击穿电压（Vce）最大为 45V，具备较高的耐电压性能，可以适应波动的工作条件，确保系统安全。
低饱和压降: 当集电极电流为 100mA 时，Vce 的饱和压降最大为 600mV，这使得其在大电流开关应用中具有较低的功耗表现，并且提高整体电路的效率。
优良的静态特性: 在集电极截止状态下，ICBO 最大值仅为 15nA，保证了实现高效能电路的静态稳定性，对减少电路噪声和提高信号清晰度尤为重要。
高增益特性: 在工作条件下，其最低 DC 电流增益（hFE）可达 200，在 2mA 的电流下，增益性能出色，能够提供较强的输入和输出增益，增强信号处理能力。
频率响应: 该晶体管的跃迁频率高达 100MHz，适合用于高频应用，满足高速开关及信号放大的需求。
宽工作温度范围: NST847BDP6T5G 在 -55°C 至 150°C 的广泛工作温度下保持良好的性能，适合于各种工业及高温环境应用。
紧凑的表面贴装设计: SOT-963 封装体积小，安装方便，是现代电子产品设计中常用的封装类型，能够有效节省电路板空间。
应用领域 NST847BDP6T5G 广泛应用于消费电子、通信设备、汽车电子、工业控制和医疗设备等领域。特别是在音频放大、开关电源、电机驱动和射频（RF）应用中获得了广泛的应用，这得益于其良好的性能和高度的可靠性。
总结 作为一款高性能的 NPN 三极管，NST847BDP6T5G 结合了卓越的电气特点和可靠的工作性能，使其成为设计师和工程师在开发各种电子设备时的理想选择。其优秀的开关特性和低功耗特性，无疑能帮助开发出更为高效、节能的电子产品。选择 NST847BDP6T5G，您将能在设计中获得更大的灵活性和更高的性能优化空间。无论是在新项目开发还是现有产品升级中，安森美的 NST847BDP6T5G 都将是值得信赖的解决方案。