电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 18V | 容差 | ±5% |
功率 - 最大值 | 5W | 阻抗(最大值)(Zzt) | 2.5 Ohms |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 500nA @ 13.7V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.2V @ 1A |
工作温度 | -65°C ~ 200°C | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | T-18,轴向 | 供应商器件封装 | 轴向 |
产品简介
1N5355BRLG 是一种高性能的齐纳二极管,专为电压稳压应用设计。其标称齐纳电压为18V,具有高达5W的功率处理能力,非常适合在各种电流和电压条件下保持稳定的电压输出。该器件由知名的安森美(ON Semiconductor)生产,采用轴向封装(DO-27),便于通孔安装,广泛应用于电源管理、保护电路和精密电子设备中。
1N5355BRLG的设计旨在提供稳定的电压输出,从而有效防止电压波动对下游电路的影响。其标准的齐纳电压为18V,使其非常适合用于电源转换器、传感器供电以及其他对稳压要求较高的应用场景。
其最大功率处理能力为5W,使其在较高负载条件下依然能够保持稳定的工作状态。这一点对于需要长时间运行或高峰负荷的设备尤为重要。该二极管能够有效地将过电压对电路的潜在威胁降至最低。
1N5355BRLG的工作温度范围为-65°C至200°C,适用性强。在极端环境下仍能保持良好的性能表现,适用于军事、航空和工业等要求严苛的应用场合。这种特性使得它在严苛环境下的可靠性得到保证,减少了因温度波动导致的故障概率。
反向泄漏电流在13.7V时仅为500nA,这意味着在工作正常的情况下,该器件不会产生过多的功耗,提升了整体电路的效能。低泄漏电流还提升了电路的效率,尤其在高阻抗环境下表现更为突出。
1N5355BRLG被广泛应用于多种场合,包括但不限于:
综上所述,1N5355BRLG凭借其18V的齐纳电压、高功率处理能力和优异的温度特性,使其成为众多电子应用中不可或缺的重要元器件。其低反向泄漏电流特性确保了其在各种环境条件下的高效性,非常适合用于需要高可靠性的电源管理、稳压和电压保护应用。如果您正在寻找一款性能稳定、应用广泛的齐纳二极管,那么1N5355BRLG无疑是一个理想选择。