晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1.5A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 63 @ 150mA,2V |
功率 - 最大值 | 1.5W | 频率 - 跃迁 | 50MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223-3 |
产品概述:SBCP53-10T1G PNP 晶体管
SBCP53-10T1G 是一款高性能的 PNP 型晶体管,专为需要高电流和高电压处理的电子应用而设计。这款晶体管由安森美(ON Semiconductor)生产,采用 SOT-223-3 封装,具有卓越的散热性能和适用于表面贴装技术的灵活性。这使得 SBCP53-10T1G 非常适合应用在要求空间紧凑和效率高的现代电子设备中。
晶体管类型:PNP
最大集电极电流 (Ic):1.5A
SBCP53-10T1G 能够处理高达 1.5A 的电流,非常适合驱动负载或作为开关元件。
集射极击穿电压 (Vce):最大 80V
这一参数确保了该晶体管可以在高压环境中稳定工作,适合用于各种电源电路和信号放大应用。
饱和压降 (Vce(sat)):最大 500mV @ 50mA 和 500mA
在不同的工作电流下,该晶体管的饱和压降表现良好,意味着在导通状态时能有效减少功耗。
集电极截止电流 (ICBO):最大 100nA
这个低值的漏电流体现了该元件的优越性能,尤其在低功耗应用中显得尤为重要。
直流电流增益 (hFE):最小值 63 @ 150mA, 2V
高直流电流增益使其在信号放大应用中表现出色,有效提升系统的整体效率。
功率最大值:1.5W
这一功率等级将为设计工程师提供更大的灵活性,用于多种功率需求的现代电路设计。
频率 - 跃迁:50MHz
高跃迁频率使得 SBCP53-10T1G 非常适合用于开关速度要求较高的应用,如开关电源和高频放大器。
工作温度范围:-65°C ~ 150°C (TJ)
大范围的工作温度使得该元件能够适用于恶劣的环境,保证设备在不同工作条件下的可靠性。
SBCP53-10T1G 的封装为 SOT-223-3 形式,符合国际标准,便于在自动化生产线上进行安装。这种表面贴装型封装设计不仅有助于节省空间,还能提升电路的散热能力,确保器件在高负载情况下的稳定性。
由于其优异的技术参数,SBCP53-10T1G 可广泛应用于各类电子设备,如:
SBCP53-10T1G 作为一种高效、可靠的 PNP 晶体管,结合了优越的性能和灵活的应用潜力,必将成为现代电子设计中的重要元件。其应用范围广泛,从普通消费电子到复杂的工业设备,都可以见到 SBCP53-10T1G 的身影,展现出其在电子工程师心目中的价值。安森美通过提供这种高性能的元件,帮助电子设计师在产品开发过程中实现更高的效率和更为可靠的操作。