NJD2873T4G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NJD2873T4G

商品编码: BM0127444208
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
DPAK
包装 : 
编带
重量 : 
0.466g
描述 : 
三极管(BJT) 15W 50V 2A NPN TO-252-2
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.82
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.82
--
100+
¥1.4
--
1250+
¥1.22
--
2500+
¥1.15
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

NJD2873T4G参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)2A
电压 - 集射极击穿(最大值)50V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 50mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)120 @ 500mA,2V
功率 - 最大值1.68W频率 - 跃迁65MHz
工作温度-65°C ~ 175°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63供应商器件封装DPAK

NJD2873T4G手册

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NJD2873T4G概述

NJD2873T4G 产品概述

概述

NJD2873T4G 是一款高性能的 NPN 型晶体管,适用于多种现代电子产品的应用。作为安森美(ON Semiconductor)公司推出的一款产品,该晶体管在具有较高电流和电压处理能力的同时,展现出优异的工作稳定性和可靠性。NJD2873T4G 主要应用于开关电源、放大器和各种线性电路,满足不同领域对功率放大和信号处理的需求。

主要参数

  • 晶体管类型: NPN
  • 最大集电极电流(Ic): 2A
  • 最大集射极击穿电压(Vce): 50V
  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降: 最高 300mV @ 50mA,1A
  • 截止集电极电流(ICBO): 最大 100nA
  • DC 电流增益 (hFE): 最小 120 @ 500mA,2V
  • 最大功率耗散: 1.68W
  • 频率: 跃迁频率高达 65MHz
  • 工作温度: -65°C ~ 175°C
  • 安装类型: 表面贴装型(SMD)
  • 封装类型: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

设计与封装

NJD2873T4G 采用 DPAK 封装,这种表面贴装封装有助于节省 PCB 板的空间,同时也提供良好的散热性能。DPAK 封装使得用户在设计紧凑型电路时能够选择更高的功率密度。由于其长度和宽度的比率适中,能够在 PCB 上提供稳定的机械支撑,适合各种控制电路和采用自动化生产的设备。

应用领域

NJD2873T4G 的高电流和高电压特点使得其广泛应用于以下几个领域:

  1. 开关电源: 由于其良好频率特性和高效的饱和压降表现,使得 NJD2873T4G 成为开关电源电路的重要组成部分。在高频操作下,其能够保证高效能的转换,减少了能量浪费。

  2. 放大器: NJD2873T4G 提供了高增益和低噪声特性,非常适合用于音频和视频放大器。其低截止电流可有效降低静态功耗,提升整体电路的能效。

  3. 驱动电路: 其最大 2A 的集电极电流使该晶体管能够驱动各种负载,包括电机和 LED 照明等。这种高电流能力兼顾了较高的功率输出需求,能够适应不同的负载条件。

  4. 汽车电子: 考虑到其广泛的工作温度范围(-65°C 至 175°C),NJD2873T4G 在汽车电子领域也表现优秀。可在恶劣环境下正常工作,确保汽车控制系统的稳定性和可靠性。

性能优势

  • 高效能: 借助其低 Vce 饱和压降,NJD2873T4G 在电源转换中具有较低的能量损耗,从而提高整个电路的工作效率。
  • 高温稳定性: 其广泛的工作温度范围和优秀的热性能使得该晶体管能够在极端温度条件下稳定工作。
  • 快速响应: 65MHz 的跃迁频率保证了信号处理的快速响应,使其能够有效地处理高频信号。

总结

NJD2873T4G 是一款性能卓越、应用广泛的 NPN 三极管,适合多种电子应用场景。其制造工艺的先进性和可靠性为设计师提供了一个理想的解决方案。无论在电源管理、信号处理还是汽车电子等领域,NJD2873T4G 都展现了优越的技术性能,成为电子产品设计中的理想选择。