注：图像仅供参考，请参阅产品规格
FDC655BN
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
SuperSOT™-6
包装 :
编带
重量 :
0.042g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.6W 30V 6.3A 1个N沟道 SSOT-6
库存 :
2985(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
1.48按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.48
--
100+
￥1.19
--
750+
￥1.06
--
1500+
￥0.998
--
3000+
￥0.95
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
FDC655BN参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 6.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 570pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 1.6W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SuperSOT™-6 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
FDC655BN手册
无数据
FDC655BN概述
FDC655BN 产品概述
概述
FDC655BN 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的 N 通道金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET)，专为需要高性能和高效率的电子应用而设计。其最大漏源电压为 30V，支持的连续漏电流可达到 6.3A，适用于各种电子电路和功率管理应用。这款 MOSFET 采用 SuperSOT™-6 表面贴装封装，具有良好的散热性能和较小的占用空间，适合现代高密度电路设计。
关键参数
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：最高 30V
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 时最大 6.3A
- 驱动电压（Vgs）：支持最大 Rds On 的驱动电压为 4.5V 至 10V
- 导通电阻（Rds On）：在 10V 和 6.3A 时，最大值为 25 毫欧
- 阈值电压（Vgs(th)）：1.8V 至 3V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）：在 10V 时最大值为 15nC
- 栅源电压（Vgs max）：±20V
- 输入电容（Ciss）：在 15V 时最大值为 570pF
- 功率耗散（Pmax）：最大功耗为 1.6W
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C
- 封装形式：SuperSOT™-6
应用场景
FDC655BN MOSFET 的设计使其非常适合在以下领域中应用：
- 开关电源：可用于电源转换器和适配器中，作为高效开关元件提供优良的能量转换效率。
- 电机控制：在电动机驱动电路中有效控制电流，提升电动机的性能表现，改善运动控制的精度。
- LED 驱动：适合用作 LED 灯具的驱动电路中，提供稳定的电流输出以确保 LED 光源的亮度一致性。
- 耗能监控设备：由于其优良的导通特性和操控可玩性，广泛应用于需要及时响应和监控的能量管理系统中。
性能优势
FDC655BN 的技术特点使其在竞争激烈的市场中脱颖而出：
- 高效性：低 Rds On（25 毫欧）和低栅极电荷（15nC）使得 FDC655BN 在开关频率高的应用中具备卓越的性能，能够有效减小能量损耗。
- 高温稳定性：宽工作温度范围 (-55°C 至 150°C) 确保了其在极端环境下的可靠性，适合汽车、工业控制等领域的应用。
- 优化设计：SuperSOT™-6 封装设计不仅提高了散热能力，同时减小了器件的占用空间，便于在现代高集成度电路中使用。
结论
总之，FDC655BN N 通道 MOSFET 是一款集高效率、可靠性与灵活性于一体的优秀电子元件。其卓越的技术特性和多样的应用范围，使其成为工程师和设计师进行现代电子设计时的必备选择。无论是在开关电源、电机控制，还是在 LED 驱动和能耗监控设备中，FDC655BN 都能够提供高效的解决方案，满足不同应用对于性能的苛刻要求。