二极管类型 | 肖特基 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 100V |
电流 - 平均整流 (Io) | 5A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 730mV @ 5A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100µA @ 100V |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN,5 引线 |
供应商器件封装 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
MBR5H100MFST1G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的高性能肖特基二极管,专为高频和高效率的电源应用设计。其最大反向电压可达100V,具有高达5A的平均整流电流能力,是电源管理、开关电源、逆变器及其他功率电路中不可或缺的元器件。
电压和电流特性:
正向电压:
反向泄漏电流:
快速恢复特性:
温度范围:
封装与安装类型:
MBR5H100MFST1G 适用于多种应用领域:
MBR5H100MFST1G 凭借其独特的特性和优势,在肖特基二极管市场上具有明显的竞争力。低正向压降和低反向泄漏电流使其在效率敏感的应用中更加受青睐。快速恢复特性使其能够在高频应用中表现出色,能够满足现代电子设备对高性能组件的需求。
总之,MBR5H100MFST1G 是一款技术成熟、性能卓越的肖特基二极管,适合用于严格的电源管理和高能效要求的各类电子应用。凭借其出色的电气性能和宽广的工作温度范围,MBR5H100MFST1G 在电子设计领域为工程师提供了更多的设计灵活性和可靠性选择。无论是在新产品开发还是在现有设备的升级中,选择 MBR5H100MFST1G 都将提升产品的性能和市场竞争力。