MBR5H100MFST1G 产品实物图片
MBR5H100MFST1G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MBR5H100MFST1G

商品编码: BM0096086145
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
包装 : 
编带
重量 : 
0.25g
描述 : 
肖特基二极管 730mV@5A 100V 100uA@100V 5A DFN-5(5x6)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
85.26
按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥85.26
--
100+
¥78.94
--
750+
¥76.65
--
22500+
产品参数
产品手册
产品概述

MBR5H100MFST1G参数

二极管类型肖特基电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)100V
电流 - 平均整流 (Io)5A不同 If 时电压 - 正向 (Vf)730mV @ 5A
速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100µA @ 100V
安装类型表面贴装型封装/外壳8-PowerTDFN,5 引线
供应商器件封装5-DFN(5x6)(8-SOFL)工作温度 - 结-55°C ~ 175°C

MBR5H100MFST1G手册

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MBR5H100MFST1G概述

MBR5H100MFST1G 产品概述

一、产品概述

MBR5H100MFST1G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的高性能肖特基二极管,专为高频和高效率的电源应用设计。其最大反向电压可达100V,具有高达5A的平均整流电流能力,是电源管理、开关电源、逆变器及其他功率电路中不可或缺的元器件。

二、主要特性

  1. 电压和电流特性

    • 最大反向电压(Vr): 100V,这使其能够在高压应用中使用,适合于各种电源电路。
    • 平均整流电流(Io): 5A,保证了在高负载条件下的稳定性能。
  2. 正向电压

    • 在5A的负载下,正向压降(Vf)为730mV,体现出该二极管在高电流下较低的导通损耗,提升了效率并减少了热量的生成。
  3. 反向泄漏电流

    • 在100V的反向电压下,其反向泄漏电流仅为100µA,表明该二极管在关断状态下的优异性能,减少了电流的浪费,能够在多种应用场合中保持高效率。
  4. 快速恢复特性

    • 该器件的恢复时间小于500ns,适合高频转换和快速开关应用,确保电源转换效率,并且减少了电源纹波。
  5. 温度范围

    • 其工作结温范围从-55°C至175°C,允许在极端环境下稳定工作,适用于汽车电子、工业控制、通讯设备等各种严苛环境。
  6. 封装与安装类型

    • 采用5-DFN(5x6)表面贴装封装,具有较小的占板面积且便于自动化安装,适合高密度电路板设计。

三、应用场景

MBR5H100MFST1G 适用于多种应用领域:

  1. 开关电源:在开关电源中起到整流和保护的作用,特别是在高频转换的场合能够提高整体效率。
  2. 逆变器:在逆变器电路中使用,可以实现高效的电能转换,特别是在可再生能源系统中(如太阳能逆变器)。
  3. 电力管理:适合用于电源管理芯片和电池充电器中,优化电能管理,提升设备的总体性能。
  4. 汽车电子:由于其高温工作能力,非常适合汽车电器和控制器中。

四、竞争优势

MBR5H100MFST1G 凭借其独特的特性和优势,在肖特基二极管市场上具有明显的竞争力。低正向压降和低反向泄漏电流使其在效率敏感的应用中更加受青睐。快速恢复特性使其能够在高频应用中表现出色,能够满足现代电子设备对高性能组件的需求。

五、总结

总之,MBR5H100MFST1G 是一款技术成熟、性能卓越的肖特基二极管,适合用于严格的电源管理和高能效要求的各类电子应用。凭借其出色的电气性能和宽广的工作温度范围,MBR5H100MFST1G 在电子设计领域为工程师提供了更多的设计灵活性和可靠性选择。无论是在新产品开发还是在现有设备的升级中,选择 MBR5H100MFST1G 都将提升产品的性能和市场竞争力。