晶体管类型 | NPN - 达林顿 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 4A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 2.8V @ 40mA,2A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500µA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 750 @ 2A,3V |
功率 - 最大值 | 40W | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
供应商器件封装 | SOT-32-3 |
BD677A 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能 NPN 达林顿晶体管,专为需要大电流和高电压的应用场景而设计。该元件以其优异的电性能和高增益特性,广泛用于功率放大器、开关电路及驱动大负载的场合。BD677A 的最大集电极电流(Ic)为4A,集射极击穿电压(Vce)可达60V,使其成为处理较大功率和电流的可靠选择。
BD677A 的达林顿配置带来了更高的电流增益,相较于常规晶体管,能够在较低的基极电流下控制较大的集电极电流。此特性使得它在电源管理和开关电路设计中极具优势。其较高的饱和压降(最高2.8V)在高负载条件下仍可保持良好的性能,且最大集电极电流可达到4A,适合各种高功率应用。此外,其工作温度最高可达150°C,表明了其在高温环境下的稳定性和可靠性。
BD677A 广泛应用于多个领域,主要包括但不限于:
BD677A 采用 SOT-32-3 封装,适用于通孔安装。该封装提供良好的热管理性能和 compact 尺寸,使其能够在空间受限的设计中仍然有效运行。其易于安装的特性,使得设计工程师可以在原型开发和量产中简便应用。
BD677A NPN 达林顿晶体管凭借其高电流增益、高功率处理能力和可靠的电气特性,成为设计工程师在高功率电路和大电流驱动应用中的理想选择。无论是在电子消费品、汽车电子还是工业设备中,都能够发挥重要的作用。同时,STMicroelectronics的品牌信誉和技术支持,则确保了产品在设计和故障排查中的可靠性。对于需要大电流和高效能的应用,BD677A 均可提供极佳的解决方案。