NCEP065N12AGU 产品实物图片
NCEP065N12AGU 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

NCEP065N12AGU

商品编码: BM0095911934
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
DFN5*6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.57
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.57
--
100+
¥2.97
--
1250+
¥2.76
--
2500+
¥2.62
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCEP065N12AGU参数

功率(Pd)130W反向传输电容(Crss@Vds)34pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6.9mΩ@4.5V,45A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)90nC
漏源电压(Vdss)120V输入电容(Ciss@Vds)4.9nF@60V
连续漏极电流(Id)90A阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@250uA

NCEP065N12AGU手册

empty-page
无数据

NCEP065N12AGU概述

NCEP065N12AGU 产品概述

1. 产品简介

NCEP065N12AGU 是由新洁能(NCE)公司推出的一款高性能 N 通道 MOSFET(场效应晶体管),其设计专注于能源效率和高可靠性,特别适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动、LED 驱动以及其他要求高效率和高功率密度的应用。该产品采用 DFN5*6 封装,具有紧凑的尺寸,便于在小型化设备中的集成。

2. 主要特点

  • 低 R_DS(on): NCEP065N12AGU 提供极低的导通电阻(R_DS(on)),可显著降低功率损耗,提高整体能效。这使得该器件在高电流条件下表现出色,能够提升效率并降低热量产生。
  • 高耐压能力: 产品的最大源漏电压(V_DS)可达 12V,确保在多种工作环境下的安全性与稳定性,适合对电压有较高要求的应用。
  • 高开关速度: 概述了快速的开关特性,适合在快速开关频率下运行,进一步提高电源转换效率。
  • 优良的热性能: 该 MOSFET 通过其封装设计和材料选择,提供良好的热管理,确保在高功率操作下的稳定性和可靠性。

3. 封装和尺寸

NCEP065N12AGU 采用 DFN5*6 封装,这种表面贴装封装形式有助于减少PCB空间,适合于高密度布板应用。DFN 封装具有较好的散热性能,并且能够抵御机械应力和热应力,适合要求较高可靠性的场合。

  • 封装尺寸: 5mm x 6mm
  • 引脚布局: 采用标准化引脚排列,便于与自动化焊接设备兼容,确保高效的生产工艺。

4. 应用领域

NCEP065N12AGU 适用于多种电子应用,包括但不限于:

  • 开关电源:在电源转换和调节过程中用作开关元件,提高能效,降低功耗。
  • DC-DC 转换器:在高效能管理系统中实现电压转换,确保提供稳定输出。
  • 电机驱动:在变频器等驱动电路中,实现高效控制,提升电机性能并延长使用寿命。
  • LED 驱动器:提供可靠的电流调节,确保 LED 照明产品的光效和寿命。

5. 性能参数

以下是 NCEP065N12AGU 的一些关键电气参数(具体参数需参考最新的产品规格表):

  • 最大漏极栅极电压(V_GS):±20V
  • 最大源漏电压(V_DS):12V
  • 导通电阻(R_DS(on)):低至毫欧级,具体型号视具体工作条件而定
  • 最大漏极电流(I_D):可达数十安培,视散热条件而定

6. 竞争优势

与其他同类产品相比,NCEP065N12AGU 凭借其低导通电阻、高耐压和高开关频率等特性,在众多应用场景中展现出更优的性能。新洁能作为知名的电子元件制造商,其在产品可靠性、技术支持及市场服务方面也为用户提供了更多保障。

7. 总结

总之,NCEP065N12AGU 在性能、热管理和封装设计方面均表现优异,能够满足现代电子设备对高效能、高密度和高可靠性的需求。无论是在工业、消费类产品或汽车电子等领域,NCEP065N12AGU 都将是一个可靠的选择,助力于实现更节能、高效的电路解决方案。随着技术的不断进步,NCEP065N12AGU 也将为用户提供更为出色的性能表现与应用体验。