功率(Pd) | 130W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 34pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6.9mΩ@4.5V,45A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 90nC |
漏源电压(Vdss) | 120V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.9nF@60V |
连续漏极电流(Id) | 90A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
NCEP065N12AGU 是由新洁能(NCE)公司推出的一款高性能 N 通道 MOSFET(场效应晶体管),其设计专注于能源效率和高可靠性,特别适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动、LED 驱动以及其他要求高效率和高功率密度的应用。该产品采用 DFN5*6 封装,具有紧凑的尺寸,便于在小型化设备中的集成。
NCEP065N12AGU 采用 DFN5*6 封装,这种表面贴装封装形式有助于减少PCB空间,适合于高密度布板应用。DFN 封装具有较好的散热性能,并且能够抵御机械应力和热应力,适合要求较高可靠性的场合。
NCEP065N12AGU 适用于多种电子应用,包括但不限于:
以下是 NCEP065N12AGU 的一些关键电气参数(具体参数需参考最新的产品规格表):
与其他同类产品相比,NCEP065N12AGU 凭借其低导通电阻、高耐压和高开关频率等特性,在众多应用场景中展现出更优的性能。新洁能作为知名的电子元件制造商,其在产品可靠性、技术支持及市场服务方面也为用户提供了更多保障。
总之,NCEP065N12AGU 在性能、热管理和封装设计方面均表现优异,能够满足现代电子设备对高效能、高密度和高可靠性的需求。无论是在工业、消费类产品或汽车电子等领域,NCEP065N12AGU 都将是一个可靠的选择,助力于实现更节能、高效的电路解决方案。随着技术的不断进步,NCEP065N12AGU 也将为用户提供更为出色的性能表现与应用体验。