FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 12 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 23nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 910pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
一、产品概述
FDS6690AS是一款高性能N通道MOSFET,由知名半导体公司安森美(ON Semiconductor)推出。该器件专为低电压、高电流应用设计,具有优异的导电性能和热稳定性,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、家电和电动汽车等领域。FDS6690AS在确保高效能的同时,保证了可靠性和稳定性。
二、关键特性
技术参数:
导通特性:
电荷特性:
输入电容:
工作环境:
封装与安装:
三、应用领域
FDS6690AS广泛应用于以下领域:
四、总结
FDS6690AS是一种高效、低损耗且信赖的N通道MOSFET,非常适合现代电子产品中对电源和驱动要求日益增加的应用场景。它的高导电性能、宽广的工作温度范围及良好的热管理特性,使其成为在多种行业中应用的理想选择。无论是在消费电子、工业自动化还是电动交通工具中,FDS6690AS都能够提供出色的性能,帮助用户实现更高的效率和更低的功率损耗。