FDD9511L-F085

产品概述：FDD9511L-F085

一、概述

FDD9511L-F085是ON Semiconductor公司推出的一款高性能P通道MOSFET，特别设计用于汽车及其他要求苛刻的应用场景。这款MOSFET具有出色的电流承载能力和低导通电阻，适用于在高温环境以及高负载条件下的电力开关、驱动电路和功率转换器。

二、基本参数

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
• 零件状态: 有源
• FET 类型: P 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）

三、电气特性

• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A（Tc）
• 导通电阻 (Rds On): 在10V的驱动电压下，最大导通电阻为21毫欧，能够实现高效的能量转化，减少热损失。
• 漏源电压 (Vdss): 最高可承受40V的漏源电压，适合多种电源管理应用。
• 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为3V @ 250µA，确保在较低的驱动电压下便可实现开关。
• 最大栅极驱动电压 (Vgs): ±16V，提供了良好的控制特性和灵活性。

四、功率特性

• 功率耗散 (Pd): 最大值为48.4W（Tj），适合于高功率电路的安装与部署。
• 工作温度: -55°C至175°C，表明其在极端环境条件下仍能保持稳定的性能，非常适合汽车电子和高温应用。

五、封装与安装

• 封装类型: D-PAK（TO-252），表面贴装型设计，便于自动化焊接，适合高密度电路板的应用。
• 封装外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63，提供稳固的物理特性和良好的散热性能。

六、动态特性

• 栅极电荷 (Qg): 最大值为23nC @ 10V，说明其开关特性良好，高频应用中表现出色。
• 输入电容 (Ciss): 最大值为1200pF @ 20V，确保在高速开关时的高效率。

七、应用领域

FDD9511L-F085广泛应用于汽车电源管理、电机驱动、DC-DC转换器、开关电源等领域，其卓越的性能使其在现代电子产品中成为一种理想选择。随着汽车电子技术的迅猛发展，该MOSFET满足了对高效率、低发热和高可靠性的迫切需求，确保了产品在复杂电气环境中的稳定运行。

八、总结

FDD9511L-F085是一款高效的P通道MOSFET，具有优异的电气和热性能，适合于多种需求苛刻的应用场景。基于优异的AEC-Q101认证标准，它能够确保在汽车及其他工业领域的可靠性和稳定性。借助先进的PowerTrench®技术，FDD9511L-F085在功率转换与电源管理的应用上提供了更低的能耗与更高的效率，是一款值得信赖的高性能电子元器件。