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IPA60R600P7SXKSA1
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
PG-TO220-3
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 21W 600V 6A 1个N沟道 TO-220-FP
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
7.14按整 :
管(1管有500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥7.14
--
10+
￥5.49
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
IPA60R600P7SXKSA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 600 毫欧 @ 1.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 80µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 363pF @ 400V |
| 功率耗散（最大值） | 21W（Tc） | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | PG-TO220 整包 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
IPA60R600P7SXKSA1手册
无数据
IPA60R600P7SXKSA1概述
产品概述：IPA60R600P7SXKSA1 N沟道MOSFET
简介
IPA60R600P7SXKSA1是一款由著名半导体公司Infineon（英飞凌）生产的N沟道MOSFET场效应管，特别设计用于高电压和高电流应用。该器件在高达600V的漏极源极电压（Vdss）下提供了出色的电流承载能力（Id），可以达到6A的连续漏极电流，非常适合于电源管理、变频器、DC-DC转换器和各种工业应用。它采用PG-TO220-3封装，具备优秀的散热性能，能够在-40°C至150°C的环境温度下稳定工作。
关键参数
- FET类型：该器件为N沟道，MOSFET技术的实现，为高效率开关和线性调节提供了理想选择。
- 漏源电压（Vdss）：600V，能够承受高电压冲击，适用于电力和自动化设备。
- 电流：在25°C的条件下，IPA60R600P7SXKSA1提供高达6A的连续漏极电流，使其在各种负载下表现稳健。
- 导通电阻（Rds(on)）：在1.7A和10V Vgs下，最大导通电阻为600毫欧，确保在导通状态下的能量损耗最小化。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：在80μA的条件下，最大阈值电压为4V，便于高效控制和驱动。
- 栅极电荷（Qg）：在10V Vgs时，最大栅极电荷为9nC，能够适应快速开关应用。
- 输入电容（Ciss）：在400V下，输入电容最大为363pF，有助于降低开关损耗和提高开关速度。
- 功率耗散：最大功耗为21W，适合于高负载应用。
- 工作温度范围：器件能够在-40°C至150°C的广泛温度范围内工作，确保其在极端环境下的可靠性。
应用领域
IPA60R600P7SXKSA1在多个领域都能发挥其卓越性能，包括但不限于：
- 电源管理：作为开关调节器、DC-DC转换器中的主开关或同步整流器，为电源供应系统提供高效能。
- 电机驱动：在直流电机及伺服系统中，用于实现高效的驱动控制。
- 变频器：在工业和家庭自动化中，作为变频器的核心组件，控制电机速度和扭矩。
- 光伏逆变器：在新能源应用中，用于光伏发电逆变，提升逆变效率。
- 电力电子：广泛应用于电力电子设备、开关电源等领域。
结论
总之，IPA60R600P7SXKSA1是一款高性能N沟道MOSFET，凭借其优越的电气参数和可靠的工作性能，满足了高电压和高电流应用的需求。作为Infineon生产的一部分，它体现了该品牌在半导体领域的技术创新和质量保证。无论是用于电源管理、工业自动化还是新能源汽车领域，IPA60R600P7SXKSA1均会成为工程师和设计师的理想选择，助力系统实现更高的效率和可靠性。