FDD1600N10ALZ
FDD1600N10ALZ参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.61nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 225pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 14.9W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
FDD1600N10ALZ手册
FDD1600N10ALZ概述
产品概述：FDD1600N10ALZ
产品类别
FDD1600N10ALZ是一款高性能的N通道MOSFET场效应管，主要应用于电源开关、功率放大器和其他电子设备的高效能电流控制。该器件具备良好的电气特性，广泛用于电源管理、电机驱动和其他高频应用。
基本参数
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET (金属氧化物半导体场效应管)
- 漏源电压 (Vdss)：100V
- 连续漏极电流 (Id)：6.8A（在25°C时，能够支持更高的温度范围）
- 驱动电压：最小 Rds On 为 5V，最大 Rds On 为 10V，能够兼容不同驱动电压环境。
- 最大导通电阻 (Rds On)：160 毫欧 @ 3.4A，10V，这使得其在高电流工作时表现出优秀的功耗特性。
电气特性
FDD1600N10ALZ在额定工作条件下表现出优异的电气特性。其不同 Id、Vgs 条件下的Vgs(th)最大值为2.8V @ 250µA，这意味着该器件在相对低的栅极驱动电压下就能实现导通状态，便于简化驱动电路设计。
在最大 Vgs 为 ±20V的情况下，该器件保证了其在较宽的电压范围内的安全操作。而在栅极充电电流的指标（Qg）上，3.61nC @ 10V的值表明其在高频开关情况下的响应速度较快，从而提高了整体电路的效率。
静态特性
在输入电容 (Ciss) 方面，该产品的最大值为225pF @ 50V，这使得其在动态性能上表现出色，有助于提高切换速度并降低开关损耗。功率耗散（最大值）达14.9W，在一定的工作环境下可提供卓越的散热性能，适合在高功率条件下使用。
工作温度
FDD1600N10ALZ融合了宽工作温度范围的设计特点，工作温度可达到-55°C至150°C (TJ)。此特性使得产品在极端环境条件下依然保持稳定的工作性能，适合用于航空航天、工业控制和汽车电子等领域。
封装与安装
该器件采用TO-252封装（D-Pak），具有两个引线和接片结构，便于表面贴装，能够适应现代电子产品的空间限制和散热需求。TO-252的封装设计有效地降低了与电路板之间的热阻，提高了散热能力。
应用领域
FDD1600N10ALZ适用于多个行业领域，包括但不限于：
- 功率转换器：用于开关电源、电池管理系统和高频逆变器中，有效提高转换效率。
- 电机驱动：广泛应用于电动机驱动和控制电路，能实现高导通能力和低热损耗。
- 直流-直流变换器：用于电子电池管理和其他DC-DC转换应用。
- 工业控制系统：可用于系统进行高效的电流控制以及远程控制。
总结
FDD1600N10ALZ凭借其杰出的电气特性、宽广的工作温度范围和优良的热管理能力，使其成为高效能电流开关和控制应用中颇具竞争力的器件。作为ON（安森美）品牌的产品，FDD1600N10ALZ在提供稳定可靠性能的同时，也满足了现代电子设备多样化和高效能的要求，是设计师们实现创新解决方案的重要工具。