FDD5614P
FDD5614P参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 24nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 759pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），42W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
FDD5614P手册
FDD5614P概述
FDD5614P 产品概述
概述
FDD5614P 是一款高性能的 P 通道 MOSFET（场效应晶体管），设计用于在多种应用中提供高效率和可靠的开关性能。该器件由安森美（ON Semiconductor）出品，封装采用 TO-252（DPak），适合表面贴装，能够满足高电流及高电压的要求，适用于电源管理、马达驱动和其它各种数字和模拟电路中。
关键规格
- FET 类型: P 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 15A（在 25°C 环境温度下）
- 驱动电压: 最小 Rds(on) 在 4.5V 和 10V 时有不同的表现
- 导通电阻（Rds(on)）: 在不同 Id 和 Vgs 条件下的最大值分别为 100 毫欧 @ 4.5A 和 10V
- 阈值电压（Vgs(th)）: 在 250µA 流量下的最大值为 3V
- 栅极电荷（Qg）: 在 10V 下最大值为 24nC
- 最大栅源电压（Vgs）: ±20V
- 输入电容（Ciss）: 在 30V 下最大值为 759pF
- 功率耗散: 最大 3.8W（Ta），42W（Tc）
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C（TJ）
- 封装类型: TO-252
应用领域
FDD5614P 的设计使其特别适合以下应用场景：
电源管理: 由于其较低的导通电阻和高电流承载能力，FDD5614P 常用于功率开关、DC-DC 转换器和电源适配器等电源管理应用中。其 P 通道特性使其在高边开关设计中非常有效。
马达驱动: 在马达控制电路中，FDD5614P 提供可靠的开关控制，能够承受高电流和高电压的需求，适用于电动机驱动、伺服控制等行业。
自动化设备: 机械设备、自动化生产线中的驱动电路等应用都能够充分发挥该 MOSFET 的性能，为电路提供高效、稳定的能源。
消费电子产品: 在各种现代电子消费品中，FDD5614P 也能够被用于高效电源管理，以提升设备的能效和延长电池使用寿命。
性能优势
FDD5614P 具备以下突出优势：
高效率: 低 Rds(on) 值确保在开关导通时，能量损失降至最低，进而提高系统的整体能效。
宽工作温度范围: -55°C 到 175°C 的广泛工作温度范围使其在严酷环境中仍然能够稳定运行，适合各种工业应用场景。
优异的热管理能力: 该 MOSFET 的设计允许在较高的功率耗散下运行，同时保持良好的热稳定性，减少了因过热带来的风险。
简单驱动: P 通道设计使其在驱动电路中非常方便，尤其是需要高边开关的场合，简化了电路设计。
结论
FDD5614P 是一款出色的 P 通道 MOSFET，凭借其卓越的电气性能、稳健的工作特性和广泛的应用潜力，成为电源管理和驱动控制电路设计中的理想选择。其可靠的性能、低功耗特性及适应各种严苛环境的能力，使其在市场上备受青睐。选择 FDD5614P，您将拥有一个高效、可靠的电源开关解决方案。