NVMFS5C426NAFT1G
NVMFS5C426NAFT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 41A（Ta），235A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.3 毫欧 @ 50A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），128W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN，5 引线 |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 65nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4300pF @ 25V | 基本产品编号 | NVMFS5 |
NVMFS5C426NAFT1G手册
NVMFS5C426NAFT1G概述
产品概述：NVMFS5C426NAFT1G
一、产品简介
NVMFS5C426NAFT1G 是 ON Semiconductor 公司推出的一款高性能 N 通道 MOSFET (金属氧化物场效应管)，专为汽车应用设计，符合 AEC-Q101 标准。这款 MOSFET 具有优越的电流处理能力和广泛的工作温度范围，适合各类高效能电源管理与驱动场合。
二、基本参数
- 制造商：ON Semiconductor
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 封装类型：表面贴装，采用5-DFN（5x6）封装。
- 零件状态：有源
- FET 类型：N 通道
- 功率耗散：最大 3.8W（环境温度下），最大 128W（芯片温度下，Tc）。
- 工作温度范围：-55°C 至 175°C
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- 连续漏极电流 (Id)：41A（在环境温度下），235A（在芯片温度下）
- 导通电阻：在 10V 驱动下，50A 时最大 1.3 毫欧。
- 栅源电压 (Vgs)：最大 ±20V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大 3.5V（@250µA）
三、特性及性能
NVMFS5C426NAFT1G 具备极低的导通电阻，能够在高电流条件下有效降低功耗，提高系统整体效率。其高达 41A 的持续电流能力使其在大多数应用场景下表现出色，尤其是在动力管理和电机控制中。此外，其最大 40V 的漏源电压确保该元件能够满足多种电气环境下的严苛要求。
此 MOSFET 的工作温度范围从 -55°C 到 175°C，使其在苛刻的汽车环境中仍能稳定工作，适用于各种恶劣条件。结合高达 128W 的功率耗散能力，这使得 NVMFS5C426NAFT1G 成为高功率应用的理想选择，能够应对电流突发的挑战。
四、应用领域
NUVMS5C426NAFT1G 的主要应用领域包括：
- 电动车/混动车辆：用于电池管理系统和电动机驱动控制。
- 车载充电器：在车载充电器和 DC-DC 转换器中，提供高效的功率转换。
- 高功率电子设备：适用于需要高效电源供应的各种电子设备。
- 电源管理：在各种电子系统中，用于功率开关和电能管理。
五、封装信息
NVMFS5C426NAFT1G 采用 5-DFN（5x6）封装，这种小型化设计使得它非常适合空间有限的应用，此外，表面贴装技术也为工业自动化和大规模生产提供了便利。其封装具备良好的热管理能力与更低的电感特性，进而提高了整体性能。
六、总结
整体而言，NVMFS5C426NAFT1G 是一款在高电流、高功率及恶劣环境下工作出色的 N 通道 MOSFET 解决方案，适用于广泛的汽车及工业应用。凭借 ON Semiconductor 的质量保证和设计支持，这款元件为工程师和设计师提供了值得信赖的选择，以满足其产品对效能、效率和坚固性的需求。无论是在电源管理、动力控制或是其他应用领域，NVMFS5C426NAFT1G 都能为用户提供可靠的性能和极高的灵活性。