SZESD7241N2T5G

SZESD7241N2T5G 产品概述

产品简介

SZESD7241N2T5G 是一款由安森美（ON Semiconductor）提供的高性能静电放电（ESD）保护器件，其设计专为保护敏感电子元件，特别是在汽车级和射频天线应用中，抵御高达 24.3V 的反向击穿和瞬态电压的影响。该器件采用了创新的表面贴装封装，适合现代紧凑型电路板的需求。

技术参数

该器件具有以下关键参数：

• 类型: 齐纳二极管，提供有效的反向电压保护。
• 双向通道: 1，确保其在不同极性过电压情况下均能有效工作。
• **反向断态电压（Vr）：**典型值为 24V、最大值为 24V。
• 击穿电压（Vbr）: 最小值为 24.3V，确保在规格范围内快速进入导通状态。
• 最大电压箝位（Vc）: 在不同瞬态电流（Ipp）情况下提供最高 48V 的电压限制，保护下游电路不受高电压损害。
• 工作温度: 像许多高性能的电子元件一样，SZESD7241N2T5G 在 -55°C 至 150°C 的广泛工作温度范围内稳定运行，这使得它特别适合在汽车和恶劣环境中使用。
• 电容（C）: 在 1MHz 时的典型电容为 1pF，表明其对高频信号的干扰能力较低，有助于确保信号的完整性。

封装信息

SZESD7241N2T5G 采用 2-X2DFN（1x0.6mm）封装，设计精巧，适合更小的电路板布局。这种表面贴装型设计使电子工程师在设计阶段能够更灵活地选择 PCB 布局，特别是在空间有限的情况下。封装的扩展性和良好的热传导能力使得设备在高功耗条件下仍然可以保持优异性能。

应用领域

SZESD7241N2T5G 适用于多个领域，尤其是在汽车电子设备和射频（RF）通信领域。随着汽车电子设备的複杂化，保护元件的需求日益增加。该器件的高击穿电压和箝位电压确保在意外情况发生时能够有效保护汽车电子系统。同时，其极低的电容特性确保了 RF 信号不受影响，使得其在基站、电视信号接收器和其它高频应用中同样表现优异。这使得 SZESD7241N2T5G 成为一种理想的解决方案。

性能优势

• 高效保护: 能迅速响应高达 24.3V 的瞬态电压，保证下游设备的安全。
• 宽广温度范围: 适应各种工作环境，从极端寒冷到高温，保证了稳定性的同时降低了因环境导致的故障风险。
• 低电容特性: 在高频应用中能有效减少信号失真，保证信号质量。
• 小型封装: 适应小型化设计，为现代电子产品提供更大的设计灵活性。

结语

综上所述，SZESD7241N2T5G 凭借其卓越的技术参数和广泛的应用领域，成为了一款值得关注的 ESD 保护器件。通过在高科技、汽车行业和众多消费电子产品中的应用，安森美的这款器件展现了其高性价比和强大功能，能够为用户提供可靠的解决方案。对于设计师而言，选择 SZESD7241N2T5G 就是选择了一种可靠且高效的保护方案。