NTGS3455T1G
NTGS3455T1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 480pF @ 5V |
| 基本产品编号 | NTGS34 |
NTGS3455T1G手册
NTGS3455T1G概述
产品概述：NTGS3455T1G MOSFET
一、产品基本信息
产品名称：NTGS3455T1G
制造商：ON Semiconductor（安森美）
包装方式：卷带（TR）
封装类型：SOT-23-6（TSOP-6）
状态：有源
类型：P通道MOSFET（场效应晶体管）
技术：金属氧化物半导体_field-effect transistor (MOSFET)
二、主要电气特性
最大漏极电流 (Id)：在25°C时，NTGS3455T1G的连续漏极电流为2.5A，适合多种应用场景中的电流控制需求。
栅源电压 (Vgs)：此器件的最大栅源电压为±20V，适用于不同的工作条件。
导通电阻 (Rds(on))：在Vgs为10V，Id为3.5A时，最大导通电阻为100毫欧。低导通电阻特性确保了高效的电流传输，减少了功耗及发热。
阈值电压 (Vgs(th))：最大阈值电压为3V（@250µA），适合低电压驱动条件，确保快速的开关响应。
功率耗散：最大功率耗散为500mW，提供可靠的工作特性，适合在多个环境条件下运行。
工作温度范围：此组件可以在-55°C至150°C的广泛温度范围内工作，确保其在高温或低温环境下的可靠性。
三、性能参数
栅极电荷 (Qg)：在Vgs为10V时的最大栅极电荷为13nC，具备更好的开关速度和高频率上的表现。
输入电容 (Ciss)：在Vds为5V时，输入电容最大为480pF，可以确保在高频应用中具备良好的响应特性。
漏源电压 (Vdss)：最大漏源电压为30V，适合对电压有较高要求的电路设计。
四、典型应用
NTGS3455T1G适用于多种电子电路，包括但不限于：
- 电源管理：在DC-DC转换器和直流电源开关中提供开关控制。
- 负载开关：在系统中用作负载开关，能够有效地在不同负载间进行切换。
- 功率放大器：在音频放大器和信号放大器电路中的应用，通过良好的电流控制，实现高效率和高保真度。
- 电机驱动：可用于小型电机控制，如步进电机或直流电机，以实现高效的驱动效果。
五、安装与应用建议
NTGS3455T1G采用SOT-23-6封装，表面贴装设计使得其在PCB上的安装更加方便。建议在设计时，按照制造商的建议进行布局以减少寄生电感与电容，提高开关效率。同时，确保良好的散热设计以维持器件在高温环境下的稳定性和可靠性。
六、总结
NTGS3455T1G是ON Semiconductor推出的一款高性能P通道MOSFET，凭借其低导通电阻、高电流容量和广泛的工作温度范围，在许多应用中都显示出其优越的性能。无论是用于电源管理、负载开关还是电机驱动，其特性均满足现代电子设备对效率和可靠性的需求。对于设计师而言，NTGS3455T1G无疑是一个值得考虑的优质选择。