SMMUN2233LT1G 产品实物图片
SMMUN2233LT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SMMUN2233LT1G

商品编码: BM0095739941
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
待确认
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 246mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-23-3(TO-236-3)
库存 :
1740(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.342
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.342
--
200+
¥0.22
--
1500+
¥0.192
--
3000+
¥0.17
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SMMUN2233LT1G参数

电阻器 - 发射极 (R2)47 kOhms功率 - 最大值246mW
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)250mV @ 1mA,10mA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 5mA,10V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA晶体管类型NPN - 预偏压
安装类型表面贴装型电阻器 - 基极 (R1)4.7 kOhms
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电流 - 集电极截止(最大值)500nA

SMMUN2233LT1G手册

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SMMUN2233LT1G概述

SMMUN2233LT1G 产品概述

产品简介

SMMUN2233LT1G 是一款高性能数字晶体管,采用 NPN 结构,专为低功耗应用而设计。其封装为 SOT-23-3(TO-236-3),不但提供了紧凑的体积,同时确保了出色的电气性能。该产品广泛应用于模拟开关、电流放大、信号调理以及各种数字信号处理领域。

主要特性

  • 电流驱动能力: SMMUN2233LT1G 的集电极电流 (Ic) 最大可达 100 毫安,适合应用在要求较高输出电流的电路中。
  • 高增益特性: 在 5 毫安且 10 伏特的条件下,该晶体管的直流电流增益 (hFE) 最小可达 80,确保在低功率信号下依然能够有效放大。
  • 低饱和电压: 在 1 毫安和 10 毫安的条件下,其集射极饱和压降最大为 250 毫伏,意味着在开关状态下能提供更高的电源效率。
  • 宽工作电压范围: 这款晶体管的集射极击穿电压最高可达 50 伏,适合在各种高电压应用中使用。
  • 低截止电流: 在无信号输入的情况下,集电极截止电流最大为 500 纳安,极低的截止电流确保了电路的低功耗特性。

设计参数

  • 发射极电阻 (R2): 47 kΩ - 优化输入信号的增益和稳定性。
  • 基极电阻 (R1): 4.7 kΩ - 提供合适的基极电流,确保晶体管可靠工作。
  • 功率额定值: 最大功率为 246 毫瓦,适合于中等功率的信号处理应用。

应用领域

SMMUN2233LT1G 广泛应用于以下领域:

  1. 音频放大器: 在音频信号的前端放大中提供高清晰度的信号增强。
  2. 开关电源: 用于开关电源的控制和调节,确保功率高效转换。
  3. 数字开关电路: 在数字电路中作为开关元件,进行信号的快速开关。
  4. 传感器接口: 作为各种传感器信号的处理和放大,确保信号的有效传输。

封装与可靠性

SMMUN2233LT1G 采用 SOT-23-3 封装,具有优良的热管理性能,同时适应自动化贴片生产的要求。这种封装设计不仅提高了产品的可靠性,也降低了电路的总占用空间,适合于便携式电子产品的设计需求。

结论

SMMUN2233LT1G 是一款满足现代电子产品要求的优质 NPN 数字晶体管。其低功耗特性、高增益能力及宽工作电压范围,使其成为各种电子应用的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是通讯设备中,SMMUN2233LT1G 都能提供卓越的性能表现,为设计师创造出更具竞争力的产品奠定坚实基础。

从现有性能与市场需求来看,SMMUN2233LT1G 显示出了良好的一致性与可靠性,非常值得专业设计师的青睐和选用。