电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms | 功率 - 最大值 | 246mW |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
安装类型 | 表面贴装型 | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
SMMUN2233LT1G 是一款高性能数字晶体管,采用 NPN 结构,专为低功耗应用而设计。其封装为 SOT-23-3(TO-236-3),不但提供了紧凑的体积,同时确保了出色的电气性能。该产品广泛应用于模拟开关、电流放大、信号调理以及各种数字信号处理领域。
SMMUN2233LT1G 广泛应用于以下领域:
SMMUN2233LT1G 采用 SOT-23-3 封装,具有优良的热管理性能,同时适应自动化贴片生产的要求。这种封装设计不仅提高了产品的可靠性,也降低了电路的总占用空间,适合于便携式电子产品的设计需求。
SMMUN2233LT1G 是一款满足现代电子产品要求的优质 NPN 数字晶体管。其低功耗特性、高增益能力及宽工作电压范围,使其成为各种电子应用的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是通讯设备中,SMMUN2233LT1G 都能提供卓越的性能表现,为设计师创造出更具竞争力的产品奠定坚实基础。
从现有性能与市场需求来看,SMMUN2233LT1G 显示出了良好的一致性与可靠性,非常值得专业设计师的青睐和选用。