注：图像仅供参考，请参阅产品规格
SBCP56-16T1G
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
SOT-223（TO-261）
包装 :
-
重量 :
-
描述 :
三极管(BJT) 1.5W 80V 1A NPN SOT-223-3
库存 :
215(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
1.22按整 :
-(1-有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.22
--
50+
￥0.936
--
1000+
￥0.78
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
SBCP56-16T1G参数
| 晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 50mA，500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，2V |
| 功率 - 最大值 | 1.5W | 频率 - 跃迁 | 130MHz |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223（TO-261） |
SBCP56-16T1G手册
无数据
SBCP56-16T1G概述
SBCP56-16T1G 产品概述
一、产品简介
SBCP56-16T1G 是一款基于 NPN 晶体管结构设计的高性能三极管，具备优异的电气特性和热稳定性。该产品采用 SOT-223（TO-261）封装类型，广泛应用于电子设备中，如开关电源、高频放大电路及功率控制等领域。其卓越的电流增益和低饱和压降特性，使其成为各种电子应用中的理想选择。
二、规格参数
- 晶体管类型：NPN
- 最大集电极电流 (Ic)：1A
- 最大集射极击穿电压 (Vce)：80V
- 最大饱和压降 (Vce(sat))：500mV @ 50mA、500mA
- 最大集电极截止电流 (ICBO)：100nA
- 最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 150mA、2V
- 最大功率：1.5W
- 频率跳跃 (fT)：130MHz
- 工作温度范围：-65°C ~ 150°C（TJ）
- 封装类型：SOT-223（TO-261）
三、应用领域
SBCP56-16T1G 以其强大的特性，广泛应用于多个领域，包括但不限于：
开关电源：在电源转换过程中，需要快速开关特性的 NPN 晶体管，SBCP56-16T1G 能够高效地支持开关模式电源的设计。
放大器电路：该三极管可用于信号放大应用，其高频特性结合稳定的电流增益，使其适合用于 RF 放大器和音频放大器中。
数字电路：由于其较低的集电极截止电流和良好的饱和特性，SBCP56-16T1G 可以有效地用于各种数字逻辑电路中。
电机驱动：该器件还适合用于电机控制和驱动电路，提供必要的电流放大和开关能力。
四、技术优势
- 高效能：具有最大 1A 集电极电流能力和 80V 的击穿电压，为高功率应用提供了强大支持。
- 低功耗：低直流截止电流和饱和压降意味着在工作中有更少的能量损耗，适合节能设计。
- 宽工作温度：其工作温度范围达到 -65°C 到 150°C，表明能够在极端环境中持续工作，适用于高温或低温应用场景。
- 小型封装：SOT-223（TO-261）封装适合于表面贴装，为现代紧凑型电子产品提供了良好的兼容性。
五、结论
总之，SBCP56-16T1G 是一款性能可靠、应用广泛的 NPN 晶体管，其设计充分考虑了现代电子设备的多样性和高效率需求。凭借其优秀的电流特性和封装便利性，SBCP56-16T1G 成为各类电子设计师和工程师的首选器件，能够满足其在各个电路设计中的严格要求。
选择 SBCP56-16T1G，无疑将为您的项目带来卓越性能和无与伦比的可靠性，是推动电子技术发展的重要元件。