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产品参数
产品手册
产品概述
BSS84K-TP参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | Vgs（最大值） | ±20V |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130mA | 功率耗散（最大值） | 225mW |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 30pF @ 5V |
| FET 类型 | P 通道 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 欧姆 @ 500mA，10V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
BSS84K-TP手册
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BSS84K-TP概述
BSS84K-TP 产品概述
产品名称: BSS84K-TP
品牌: MCC (美微科)
封装类型: SOT-23
技术类别: P 通道 MOSFET
1. 概述
BSS84K-TP 是一款表面贴装型 P 通道 MOSFET，专为低功耗和高效率的电子应用而设计。该器件具有最大漏源电压 60V 和连续漏极电流 130mA，适用于众多需要高线性度和低驾驶电压的场景。与现代电子设备对小型化和高效率的要求相符合，BSS84K-TP 的 SOT-23 封装尺寸小，有助于节省电路板空间。
2. 产品特性
- 安装类型: 该器件为表面贴装型 (SMD)，便于在自动化生产线上进行高效焊接和组装。
- Vgs（最大值）: ±20V 的最大栅源电压使其适应广泛的电源管理需求。
- 驱动电压: 该 MOSFET 在 4.5V 和 10V 驱动电压下的 Rds(on) 特性展示出卓越的导通性能，优化了功率损耗，从而提高整体功率效率。
- 电流能力: 在 25°C 环境下，BSS84K-TP 能够连续承载 130mA 的漏电流，适合用于小功率开关以及放大应用。
- 功率耗散: 最大功率耗散达到 225mW，使得它能够在高温和高功率密度环境中稳定工作，保证了系统的可靠性。
- 输入电容 (Ciss): 最大值为 30pF @ 5V，可为高频高效开关应用提供卓越的切换速度。
- 导通电阻: 最佳导通电阻为 6Ω @ 500mA 和 10V 的条件下，确保器件在负载变动中依然保持低损耗状态。
- 阈值电压 (Vgs(th)): 该器件在 250µA 流过的条件下，最大 Vgs(th) 为 2.5V，仪表电路或信号处理中的开关控制尤为有效。
3. 应用场景
BSS84K-TP 适合多种应用场景，包括但不限于:
- 电源管理: 可用于开关模式电源（SMPS）、电池管理系统，及其他电源开关电路。
- 信号开关: 高速信号开关电路，尤其适用于需要增加功率效率的高频应用。
- 负载驱动: 适合用于驱动小功率负载的开关应用，例如 LED 驱动、马达控制等。
- 逻辑电平转换: 非常适合在不同电平逻辑电路间进行转换，尤其是低电压到高电压的转换应用。
4. 环境适应性
BSS84K-TP 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，适合在广泛的环境条件下运行。该温度范围内的稳定性使其适合于工业和汽车等严苛应用环境。
5.总结
BSS84K-TP 这款 P 通道 MOSFET，其优异的参数特性和良好的封装设计，使其成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。无论是电源转换还是信号处理，它都能够提供可靠的性能和高效的能量管理。在设计高性能低功耗电路时，BSS84K-TP 将是您理想的选择。由于其小巧的尺寸和高度集成的特性，它为设计者提供了更多的灵活性与创新空间，广泛应用于现代电子设备中的各类电路应用。