FDS86242

FDS86242 产品概述

FDS86242 是一款由安森美（ON Semiconductor）公司设计和生产的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为需要较高漏源电压和电流的电路应用而优化。该器件在技术参数方面表现出色，广泛应用于多种电源管理和开关应用中，特别是在高电压和大电流的环境下。

关键参数与性能

FDS86242 的主要特性包括：

• 漏源电压（Vdss）： 最高可达 150V，使其能够适应高压电源和负载需求。
• 连续漏极电流（Id）： 在 25°C 工作温度下，最大连续漏极电流为 4.1A，这确保了在中等功率应用中，可以安全高效地传输电流。
• 栅源电压（Vgs）的操作范围： 此器件的最大栅源电压为 ±20V，能够兼容多种驱动信号，满足不同电源电路的需求。

导通电阻与开关特性

FDS86242 的导通电阻（Rds(on)）在不同条件下显示出极低的值。具体来说：

• 最大 Rds(on)： 当栅源电压达到 10V，连续漏电流为 4.1A 时，FDS86242 的最大导通电阻为 67 毫欧。这意味着在一定的功率损耗下，能够有效降低热量产生，从而提升整体电路效率。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）： 此部件的 Vgs(th) 最大值为 4V（以 250µA 的漏电流为准），使其能够在较低的栅源电压下开启，适应更广泛的驱动电压水平。
• 栅极电荷（Qg）： 在 10V 的栅源电压下，最大栅极电荷为 13nC，这种特性对于高速开关应用尤为重要，因为它决定了器件在开启和关闭过程中所需的驱动功率。

电容特性及功率耗散

FDS86242 另外一项显著特点是其输入电容（Ciss），在当前 75V 的漏源电压下，最大输入电容为 760pF。这使得该器件在高频率开关应用中具备了较好的开关性能。

关于功率耗散，FDS86242 的最大功率耗散为 2.5W（在环境温度 Ta 下），在更高的环境温度条件下，如果安装在散热器上，功率耗散可达 5W（在结温 Tc 下），这表明该器件能够在元器件散热良好的情况下承受较高热量。

工作环境与封装

FDS86242 额定工作温度范围为 -55°C 到 150°C，适合严苛环境下的应用，同时确保了在不同的工作条件下可靠的性能。该器件采用表面贴装型封装，规格为 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽），方便与现代电路设计兼容，使得组装和焊接过程更加简便。

应用场景

FDS86242 可广泛应用于：

• DC-DC 转换器
• 电机驱动电路
• 开关电源（SMPS）
• 负载开关
• 保护电路

这一系列应用得益于其多功能、高效率表现和适应广泛电源条件的能力，使其成为众多电子设计师和工程师寻求可靠元件的优先选择。

总结

凭借其出色的电气性能、宽广的工作范围以及可靠的热管理特性，FDS86242 N 通道 MOSFET 是市场上极具竞争力的产品，适用于多种工业与消费电子设备。其小型 SOIC-8 封装格式设计，使得在紧凑型电路中也能轻松集成，高度的可靠性和效率无疑将为电子设计带来更多的可能性。