安装类型 | 表面贴装型 | 工作温度 | -40°C ~ 105°C(TA) |
技术 | FLASH - NOR | 存储容量 | 64Mb (8M x 8) |
写周期时间 - 字,页 | 50µs,2.4ms | 存储器接口 | SPI - 四 I/O |
存储器类型 | 非易失 | 存储器格式 | 闪存 |
时钟频率 | 120MHz | 电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V |
GD25Q64CSJGR 是由知名半导体制造商北京兆易创新(Gigadevice)推出的一款高性能闪存存储器。该产品采用表面贴装型(SMD)封装,极大地适应了现代电子电路对空间和功能集成的需求。下文将详细探讨其技术规格、特点及应用场景,以助于开发人员和工程师在设计产品时的参考。
存储容量及格式: GD25Q64CSJGR 提供64Mb的存储容量(即8M x 8位),适用于需要较大数据存储的各种应用。其闪存类型为NOR FLASH,适合以字或页的方式进行高效读写操作。
接口类型: 本产品支持SPI(串行外设接口)的四线I/O模式,这种设计使得数据传输速度大大提升。借助该接口,用户可在其应用中实现快速、稳定的数据交换。
工作频率: GD25Q64CSJGR 的时钟频率可达120MHz,使得其在读取和写入数据时表现出色,尤其适合需要高速数据处理的应用场景。
工作电压: 本产品的工作电压范围是2.7V到3.6V,能够与多种供电系统兼容,为用户提供灵活的电源设计选择。
写周期时间: 该闪存的写周期时间为50µs(字写入)及2.4ms(页写入),有效支持快速的数据存储和更新,尤其在实时数据记录和处理上表现优异。
工作温度范围: GD25Q64CSJGR 的工作温度范围为-40°C至105°C,使其在各种环境中都能稳定运行,适合工业、电源和汽车等高要求的应用场合。
GD25Q64CSJGR 以其优越的性能参数和稳定的工作特性,广泛应用于多个领域,包括但不限于:
总结而言,GD25Q64CSJGR 是一款高性能、低功耗的FLASH-NOR存储器,凭借其优越的技术参数和广泛的应用领域,为各类电子产品设计提供了一种可靠且高效的解决方案。随着电子技术的不断发展,GD25Q64CSJGR 也将成为越来越多创新产品中的关键元件。