注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRF7324TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.169g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2W 20V 9A 2个P沟道 SOIC-8
库存 :
24453(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
3.57按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.57
--
100+
￥2.97
--
1000+
￥2.76
--
2000+
￥2.62
--
4000+
￥2.5
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF7324TRPBF参数
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 9A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 63nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2940pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
IRF7324TRPBF手册
无数据
IRF7324TRPBF概述
IRF7324TRPBF 产品概述
基本信息
IRF7324TRPBF 是一款高性能的双 P 沟道场效应管（MOSFET），封装形式为8-SOIC，广泛用于各种电子电路和电源管理应用中。这款器件由知名品牌 Infineon（英飞凌）生产，旨在满足现代电子设计的高效性和可靠性要求。
主要参数
- FET 类型：双 P 沟道
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 工作电流：在25°C时，连续漏极电流可达9A
- 最大导通电阻：在9A和4.5V的条件下，最大导通电阻为18毫欧
- 门源阈值电压（Vgs(th)）：在250µA的电流条件下最大为1V
- 栅极电荷（Qg）：在5V下最大为63nC
- 输入电容（Ciss）：在15V下最大为2940pF
- 功率最大值：可承受最大功率为2W
- 工作温度范围：-55°C至150°C
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
应用场景
IRF7324TRPBF 适用于多种应用场合，尤其是在电源管理、电机控制和负载开关中表现出色。凭借其优越的电流承载能力和低导通电阻，这款 MOSFET 特别适合用于解耦与开关应用，能够有效降低功耗，提高系统效率。此外，它的低阈值门电压和快速开关特性使其非常适合逻辑电平的驱动，广泛应用于自动化控制、通信设备及消费电子产品中。
性能优势
高效能：低导通电阻使得 IRF7324TRPBF 在高电流条件下的功率损耗极低，能够有效提升电源系统的整体效率，降低热量生成，延长系统使用寿命。
宽广的工作温度范围：产品能够在-55°C至150°C的环境下稳定工作，适合各种苛刻的应用场景，如汽车电子、工业控制等领域。
优良的开关特性：较小的输入电容和栅极电荷使得 IRF7324TRPBF 能够迅速切换，适合高频工作应用，有助于实现更高的系统效率。
封装与安装
IRF7324TRPBF 采用8-SOIC封装，适合表面贴装，方便自动化生产线的组装，节省了制造成本和时间。其尺寸适中，能够在空间有限的电路板上实现高密度布局。
结论
综上所述，IRF7324TRPBF 是一款高效、可靠、适应性广的双 P 沟道 MOSFET，凭借其卓越的电气性能和坚固的封装设计，在现代电子设备中发挥着重要作用。无论是在信号开关、PWM控制还是电源管理等领域，这款器件均表现出色，是工程师们在设计中不可或缺的重要元件。选择 IRF7324TRPBF，将为您的项目提供更高的性能及更好的可靠性。