SZESD7462N2T5G
SZESD7462N2T5G参数
| 类型 | 齐纳 | 双向通道 | 1 |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 16V（最大） | 电压 - 击穿（最小值） | 16.5V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 47V（标准） | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 16A |
| 电源线路保护 | 无 | 应用 | 汽车级 |
| 不同频率时电容 | 0.3pF @ 1MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 2-XDFN |
| 供应商器件封装 | 2-X2DFN（1x0.6） |
SZESD7462N2T5G手册
SZESD7462N2T5G概述
产品概述：SZESD7462N2T5G
SZESD7462N2T5G 是一款高性能的静电放电（ESD）保护器件，专为汽车级应用而设计。该产品由知名半导体制造商 ON Semiconductor（安森美）出品，采用先进的技术工艺，具备优异的电气性能和可靠性，能够为电子设备提供有效的保护。
产品特点
静电放电保护： SZESD7462N2T5G 主要用于保护敏感的电子元件免受静电放电引起的损害。其具备典型的反向断态电压为 16V，最大为 16V，这使得该器件适用于在16V的电压条件下的电路设计。
击穿电压： 该器件的最小击穿电压为 16.5V，能够在一定电压范围内有效限制电压并保护后续的电路工作。
高阻抗与低电容： SZESD7462N2T5G 在不同频率下表现出低至 0.3pF 的电容值（1MHz），这不仅减少了对信号传输的干扰，还使得器件在高速应用中保持良好的性能。
峰值脉冲电流： 该器件支持高达 16A 的峰值脉冲电流（10/1000µs），能在瞬态过电压事件中提供强大的保护能力，确保电路的安全和可靠性。
紧凑的封装设计： SZESD7462N2T5G 采用 2-X2DFN（1x0.6mm）封装，表面贴装型设计使其适合现代电子设备中对于空间的严格要求，便于自动化组装，提高生产效率。
工作温度范围： 该器件的工作温度范围广泛，能在 -55°C 至 150°C 的环境下稳定工作，确保其在极端条件下也能保持良好的性能，适合各种工业和汽车应用。
无电源线路保护： SZESD7462N2T5G 不提供电源线路保护，但其专注于 ESD 保护功能，极具针对性，适合用于需要高灵敏度保护的应用场景。
应用场景
SZESD7462N2T5G 广泛应用于汽车电子、消费电子、工业设备和通信设备等领域。随着电子设备的复杂性和集成度不断提升，静电放电所造成的损害已成为影响系统可靠性的重要因素。该器件能够有效保护多种敏感的电子元件，如芯片、传感器、接口等，确保它们在受到瞬态电压冲击时依然能够稳定工作。
在汽车级应用中，SZESD7462N2T5G 的高温工作能力和可靠的电气特性，使其成为了汽车电子控制单元（ECU）、仪表板、车载娱乐系统等的重要保护器件。此外，在消费电子中，如智能手机、平板电脑和物联网设备，SZESD7462N2T5G 同样能提供卓越的保护，确保设备的长久安全和稳定运行。
总结
综上所述，SZESD7462N2T5G 是一款高度可靠、性能优异的静电放电保护器件，专为汽车级应用设计，采用先进的封装和材料技术，适用于各种电子设备的 ESD 防护需求。无论在工业应用还是消费电子领域，该器件都能提供强大的保护功能，确保系统的可靠性与稳定性。选择 SZESD7462N2T5G，即是选择了一份安心与安全。