晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 40mA,400mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,5V |
功率 - 最大值 | 500mW | 频率 - 跃迁 | 120MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-243AA | 供应商器件封装 | PCP |
2SC3646S-TD-E 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的高性能 NPN 晶体管,适用于各种低功耗和高频应用。这款晶体管的封装为 TO-243AA (也称为 SOT-89-3),是一种常见的表面贴装型封装,因其良好的散热性能和小巧的体积而受到广泛欢迎。
2SC3646S-TD-E NPN 晶体管广泛应用于多个领域,尤其是在消费电子产品、通信设备以及工业控制系统中。其具体应用包括:
相较于同类产品,2SC3646S-TD-E 凭借安森美强大的品牌实力、稳定的产品质量以及完善的技术支持,具备竞争优势。作为一款高效能的 NPN 晶体管,它非常适应现代电子产品对高密度集成和高效能的需求。
此外,该晶体管在高温条件下依然保持良好的性能,使其在严苛环境下的应用成为可能,极大地扩展了其市场潜力。
综合以上信息,2SC3646S-TD-E 是一款功能强大,适用广泛的 NPN 晶体管,满足了高电流、高频率和高温环境下的应用需求。从功率放大到开关电源,其卓越性能使其成为各类电子设计中不可或缺的关键元器件。安森美通过该产品,展现了其在电子元器件领域的专业性和领导地位。