2SC3646S-TD-E 产品实物图片
2SC3646S-TD-E 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2SC3646S-TD-E

商品编码: BM0095492360
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
PCP
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
三极管(BJT) 500mW 100V 1A NPN SOT-89-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.59
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.59
--
50+
¥1.99
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

2SC3646S-TD-E参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A
电压 - 集射极击穿(最大值)100V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)400mV @ 40mA,400mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 100mA,5V
功率 - 最大值500mW频率 - 跃迁120MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-243AA供应商器件封装PCP

2SC3646S-TD-E手册

empty-page
无数据

2SC3646S-TD-E概述

2SC3646S-TD-E 产品概述

一、产品介绍

2SC3646S-TD-E 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的高性能 NPN 晶体管,适用于各种低功耗和高频应用。这款晶体管的封装为 TO-243AA (也称为 SOT-89-3),是一种常见的表面贴装型封装,因其良好的散热性能和小巧的体积而受到广泛欢迎。

二、基本参数

  • 类型: NPN
  • 集电极电流(Ic): 最大值为 1A,表明该器件能够支持较大的负载。
  • 集射极击穿电压(Vce): 最大值为 100V,使得该晶体管在高压应用中稳定可靠。
  • 饱和压降(Vce(sat)): 最大值为 400mV,测得时条件为 40mA 和 400mA,是其高电流负载下的特性,表明了良好的导通能力。
  • 集电极截止电流(ICBO): 最大值为 100nA,说明该器件具有优良的切断性能,能够减少不必要的漏电流。
  • 直流电流增益(hFE): 在 100mA 和 5V 条件下,最小值为 100,表示其具有较大的电流增益,可以实现高效的信号放大。
  • 功率: 最大功率为 500mW,适用于中小功率应用。
  • 跃迁频率(fT): 达到 120MHz,支持高频率的开关和放大应用。
  • 工作温度范围: 最高可达 150°C(TJ),在高温环境中也能稳定运行。
  • 封装类型: TO-243AA 表面贴装封装,便于现代电子设备的自动化组装。

三、应用场景

2SC3646S-TD-E NPN 晶体管广泛应用于多个领域,尤其是在消费电子产品、通信设备以及工业控制系统中。其具体应用包括:

  1. 功率放大器: 可用于 RF 应用中的射频功率放大器,因其高速和高增益特性。
  2. 开关电源: 适合在开关电源电路中工作,能够处理较大的电流和电压,确保电源效率。
  3. 音频放大器: 由于其良好的线性和高频特性,2SC3646S-TD-E 可以用于低功率音频放大器中,实现高质量音频输出。
  4. 传感器电路: 适用于各种传感器和检测电路中的信号放大。
  5. 数字电路: 在各种逻辑开关和数字电路中作为驱动器使用。

四、竞争优势

相较于同类产品,2SC3646S-TD-E 凭借安森美强大的品牌实力、稳定的产品质量以及完善的技术支持,具备竞争优势。作为一款高效能的 NPN 晶体管,它非常适应现代电子产品对高密度集成和高效能的需求。

此外,该晶体管在高温条件下依然保持良好的性能,使其在严苛环境下的应用成为可能,极大地扩展了其市场潜力。

五、总结

综合以上信息,2SC3646S-TD-E 是一款功能强大,适用广泛的 NPN 晶体管,满足了高电流、高频率和高温环境下的应用需求。从功率放大到开关电源,其卓越性能使其成为各类电子设计中不可或缺的关键元器件。安森美通过该产品,展现了其在电子元器件领域的专业性和领导地位。