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SI9435BDY-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SOIC-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 4.1A 1个P沟道 SO-8
库存 :
1166(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
2.23按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.23
--
100+
￥1.71
--
1250+
￥1.48
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI9435BDY-T1-GE3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 42 毫欧 @ 5.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 24nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI9435BDY-T1-GE3手册
无数据
SI9435BDY-T1-GE3概述
SI9435BDY-T1-GE3 产品概述
概述
SI9435BDY-T1-GE3是一款高性能的P沟道MOSFET，由知名品牌VISHAY（威世）生产。该器件专为高效能电源管理和开关应用设计，具有优越的电气特性和可靠的工作性能。其关键参数包括漏源电压（Vdss）30V、连续漏极电流（Id）4.1A、以及极低的导通电阻（Rds On）最大值为42毫欧，确保其在各种负载条件下的高效工作。
主要规格
- 类型：P沟道MOSFET
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 连续漏极电流（Id）：4.1A（在25°C环境下）
- 导通电阻（Rds On）：最大42毫欧 @ 5.7A，10V
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大3V @ 250µA
- 驱动电压：10V
- 栅极电荷（Qg）：最大24nC @ 10V
- 最大栅源电压（Vgs）：±20V
- 功率耗散：最大1.3W
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 封装类型：表面贴装SOIC-8，封装尺寸为0.154"（3.90mm宽）
应用场景
SI9435BDY-T1-GE3适合用于各种应用，包括但不限于：
- 电源管理：广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器中，以实现高效的能量转换和管理。
- 负载开关：理想的负载开关应用，适用于移动设备、计算机硬件和工业控制设备中。
- 电机驱动：可用于控制小型电机和执行器，提供高效的驱动能力。
- LED驱动器：适用于LED照明和其他光源驱动电路中，以提供可靠的开关控制。
性能特点
- 高效率：SI9435BDY-T1-GE3具有低导通电阻的特性，能够显著降低在高电流下的功率损失，提高整体系统的能效。
- 高可靠性：广泛的工作温度范围和高功率耗散能力使该MOSFET非常可靠，适合在苛刻的环境中使用。
- 简化设计：该设备的栅极驱动电压要求相对较低，简化了电路设计，减少了外围元件的需求。
- 快速开关特性：较低的栅极电荷符合高频开关应用的需求，能够有效改善开关特性和响应时间。
结论
作为VISHAY的优秀产品，SI9435BDY-T1-GE3 P沟道MOSFET凭借其出色的电气特性和广泛的应用场景，绝对是电子设计师和工程师的理想选择。其低导通电阻、高效的开关能力，以及更广泛的工作温度范围，使得它在现代电子设备中具有广阔的应用潜力。此外，SOIC-8封装使其更易于集成到各种电路板设计中，进一步提升了其市场竞争力。无论是用于电源管理还是驱动电机，SI9435BDY-T1-GE3都是追求高效能和高可靠性的理想选择。