NCE2312A 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCE2312A

商品编码: BM0095488854
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 5A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.386
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.386
--
200+
¥0.25
--
1500+
¥0.217
--
3000+
¥0.192
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCE2312A参数

功率(Pd)1.25W反向传输电容(Crss@Vds)80pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@4.5V,5A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)11nC@4.5V
漏源电压(Vdss)20V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)780pF@10V连续漏极电流(Id)5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)500mV@250uA

NCE2312A手册

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NCE2312A概述

NCE2312A 产品概述

一、产品简介

NCE2312A是一款高效、低功耗的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其最大功率达到1.25W,额定电压为20V,最大持续电流可达5A。该元件采用SOT-23封装,适用于对空间要求严格的小型电子设备。NCE2312A以其优良的特性,广泛应用于开关电源、马达驱动、电源管理以及其他高频电路中。

二、主要技术参数

  • 类型:N沟道MOSFET
  • 功率:1.25W
  • 最大漏极源极电压(V_DS):20V
  • 最大持续漏极电流(I_D):5A
  • 封装类型:SOT-23
  • 工作温度范围:-55°C至+150°C

随着电子技术的快速发展,NCE2312A以其稳定的性能和高效的工作效率,成为了众多电子设计师在选择MOSFET时的重要考量之一。

三、特性与优势

  1. 高效率和低功耗:NCE2312A具有良好的导通电阻(R_DS(on)),使其在工作时能够显著降低功耗,提高整体系统的能效,尤其在电源管理和电源转换应用中表现突出。

  2. 优良的热性能:其低热阻设计能够有效控制发热,有助于提升产品的可靠性,延长产品的使用寿命。适用于需要在高温环境中工作的应用。

  3. 紧凑的封装设计:SOT-23封装不仅轻便而且占用空间小,非常适合现代小型化电子产品的设计需求,使得PCB(印刷电路板)布线更加灵活。

  4. 易于驱动:由于NCE2312A的栅极电压要求较低,设计师能够方便地利用小型驱动电路来控制该MOSFET,大大简化了电路设计。

四、应用场景

NCE2312A广泛应用于多种电路设计中,主要包括但不限于:

  • 开关电源:在DC-DC转换器中,NCE2312A可用作高侧或低侧开关,以实现高效的电源转换。

  • 马达驱动:在DC马达和步进电机的驱动电路中,能够有效控制电机的启动、停止及调速。

  • 电源管理:用于负载开关、LED驱动电路等场景,在各种电源管理方案中都有着重要的应用。

  • 信号调节:在信号处理电路中,NCE2312A可用作信号开关,实现高频开关控制。

五、安装和注意事项

在使用NCE2312A时,需要注意以下几点:

  1. 热管理:为确保器件在功率范围内正常工作,设计时需合理考虑散热设计,必要时增加散热片。

  2. PCB布局:由于NCE2312A对电路布局和走线有一定要求,建议优化PCB设计,确保信号完整性和电气性能。

  3. 防静电措施:MOSFET对静电敏感,在操作和安装过程中需采取适当的防静电措施,避免对元器件造成损坏。

六、总结

NCE2312A是一款性能优良、使用灵活的N沟道MOSFET,凭借其高功率承载能力和出色的热管理特性,成为众多电子设计项目中的首选元件。无论是工业控制、娱乐设备还是消费电子,NCE2312A都能够满足严格的性能要求,助力各种创新设计的实现。希望本产品概述能为您的设计提供必要的参考,帮助您更好地应用这一优秀元件。