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FDB28N30TM
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
D²PAK
包装 :
编带
重量 :
1.637g
描述 :
场效应管(MOSFET) 250W 300V 28A 1个N沟道 D2PAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
12.41按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥12.41
--
100+
￥10.51
--
800+
￥10.01
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
FDB28N30TM参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 300V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 28A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 129 毫欧 @ 14A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 50nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2250pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D²PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
FDB28N30TM手册
无数据
FDB28N30TM概述
FDB28N30TM 产品概述
概述
FDB28N30TM 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET)，由安森美（ON Semiconductor）制造。它设计用于需要高功率、低导通电阻和高电压的应用场景，如电源管理、DC-DC 转换器和电机驱动等。此 MOSFET 的最高持续漏极电流为 28A，最大漏源电压为 300V，内部使用 D²PAK 封装，使其适应现代电子设备的紧凑设计需求。
规格参数
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）: 300V
- 最大连续漏极电流 (Id): 28A（在 Tc = 25°C 条件下）
- 导通电压 (Vgs) 最大值: ±30V
- 导通电阻 (Rds(on)) 最大值: 129 mΩ @ 10V, 14A
- 阈值电压 (Vgs(th)) 最大值: 5V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg) 最大值: 50nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) 最大值: 2250pF @ 25V
- 功率耗散（最大值）: 250W（Tc ≤ 25°C）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
应用领域
FDB28N30TM 由于其高电压和高电流容忍度，广泛适用于多种应用，包括但不限于：
- DC-DC 转换器: 在开关电源设计中，能够提供高效的电流转换。
- 电机驱动器: 用于控制高功率电机，确保平稳和高效的运行。
- 电源管理: 结合其他电子元件，可以构建高效的电源管理系统。
- 智能家居设备: 在现代智能设备中，作为开关元件以实现更好的能源效率。
性能优势
- 高功率处理能力: FDB28N30TM 的功率耗散能力可达 250W，使其在高负载应用中表现出色。
- 低导通电阻: 129 mΩ 的导通电阻显著减少在高电流应用中的功耗，从而提高了整体系统效率。
- 宽工作温度范围: 支持 -55°C 到 150°C 的工作温度使其适合在苛刻环境中运行，增加了其可靠性和耐用性。
- 紧凑的 D²PAK 封装: 有助于减少电路板空间，同时提供良好的热管理特性。
封装与安装
FDB28N30TM 采用 D²PAK 封装，适合表面贴装技术（SMT），这使得其在现代电子产品中的安装更加简便高效。该封装的设计增强了散热能力，使 MOSFET 能在高功率条件下稳定运行，避免过热现象。
结论
FDB28N30TM 是一款出色的 N 通道 MOSFET，以其高漏电压和大电流能力，广泛应用于电机驱动、电力转换和电源管理等领域。结合其低导通电阻和高功率处理能力，能够大幅提升系统的效率和可靠性。作为安森美公司的产品，FDB28N30TM 紧跟行业发展，适用于多种现代电子应用，必将成为您电路设计中的理想选择。无论是在性能还是在设计灵活性方面，FDB28N30TM 都是值得信赖的解决方案。