SI1302DL-T1-GE3
SI1302DL-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 600mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 480 毫欧 @ 600mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.4nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 280mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SC-70-3 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
SI1302DL-T1-GE3手册
SI1302DL-T1-GE3概述
SI1302DL-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SI1302DL-T1-GE3是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），由知名电子元器件制造商VISHAY（威世）生产。该器件采用SC-70-3小型封装，广泛应用于各种电子设备中，涵盖了消费类电子、工业自动化和电源管理等多个领域。凭借其良好的电气性能与宽广的工作温度范围，SI1302DL-T1-GE3成为设计工程师在选择MOSFET时的优质选择。
二、主要特性
漏源电压（Vdss）: SI1302DL-T1-GE3的最大漏源电压为30V，适合中低压应用。
电流能力: 在25°C环境温度下，该MOSFET可以提供高达600mA的连续漏极电流，使其在负载要求相对较高的应用中具有出色的表现。
导通电阻（Rds(on)）: 在10V的门源电压（Vgs）下，该器件的最大导通电阻为480毫欧，确保在工作时的能效和热失效表现良好。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 栅极阈值电压最大为3V @ 250µA，提供更低的驱动电压需求，从而降低系统功耗。
驱动电压: SI1302DL-T1-GE3支持4.5V到10V的驱动电压范围，这使其适用于多种控制电路。
栅极电荷: 在10V的Vgs下，栅极电荷最大为1.4nC，降低了开关损耗，使其在高频开关应用中也能够高效工作。
工作温度: 该器件具备广泛的工作温度范围，-55°C至150°C，适合在极端环境下使用，能够满足汽车、航空及军事等行业的高标准要求。
功率耗散: 最大功耗能力为280mW，这意味着在设计时可以合理分配散热问题。
三、封装与安装
SI1302DL-T1-GE3采用SC-70-3封装，体积小巧、轻便，适合表面贴装（SMT）技术。这种小型化设计使其能够有效节省电路板空间，提高设备的整体集成度和性能。
四、应用领域
由于其优异的电气特性，SI1302DL-T1-GE3在很多应用场景下具有广泛的适应性，主要包括但不限于：
移动设备: 适合在智能手机、平板电脑等便携式电子设备中作为开关或调节元件使用。
电源管理: 在电源转换与管理系统中承担开关功能，用于提升电能使用效率。
LED驱动: 在LED照明系统中用作驱动和控制元件，确保稳定的电流输出。
工业控制: 适用于各种自动化控制系统，如马达驱动和传感器接口等。
五、总结
SI1302DL-T1-GE3 N沟道MOSFET凭借其优良的电气性能、稳定的工作机制和小型化封装，成为众多电子产品设计中的重要元件。其极宽的工作温度范围以及适度的电压与电流规格，使其在各种工程应用中表现出色，选择SI1302DL-T1-GE3将为设计师带来更多的灵活性和可靠性。对于追求高性能、低功耗和空间嵌入性的电子产品而言，SI1302DL-T1-GE3是一个理想的解决方案。