NTR5105PT1G
NTR5105PT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 196mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 100mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 347mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 30.3pF @ 25V |
| 基本产品编号 | NTR510 |
NTR5105PT1G手册
NTR5105PT1G概述
NTR5105PT1G 产品概述
一、产品简介
NTR5105PT1G 是由 ON Semiconductor 生产的一款 P 型通道 MOSFET，紧凑的 SOT-23-3 封装设计使其适用于多种空间受限的应用场合。这款元件能够在 -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围内保持良好的性能，适合高温和低温环境下的电子设备应用。
二、基础参数
该 MOSFET 的最大漏源电压为 60V，连续漏极电流能够达到 196mA（在 25°C 环境温度下），提供了较好的电流承载能力。其最大功率耗散为 347mW，确保在合理的散热条件下，可以长时间稳定工作。
三、电学特性
NTR5105PT1G 的驱动电压分为两个级别，分别为 4.5V 和 10V，这样的设计使其能够兼容多种驱动电路。特别是在 10V 下，其导通电阻 Rds(on) 最大值为 5Ω（在 100mA 电流下），这一特性使得该器件在开关状态下能量损耗小，提高了整体系统的效率。
栅源电压阈值 Vgs(th) 最大值为 3V，而其栅极电荷 Qg 约为 1nC（在 5V 驱动电压条件下），这意味着该 MOSFET 可以在较低的电压下得到快速响应，适合用于高频开关应用。
四、封装特点
NTR5105PT1G 采用 SOT-23-3 封装，其尺寸适合于表面贴装应用，便于实现高密度的电路设计。该封装形式不仅有助于节省板空间，还支持高效的焊接和装配过程，能够加快产品的生产效率。
五、应用领域
凭借其多种优异的电性能，NTR5105PT1G 被广泛应用于以下领域：
- 开关电源：用于 DC-DC 转换器、负载开关等电路中。
- 电池管理系统：在电池充放电管理中，作为开关元件提供高效控制。
- LED 驱动：在 LED 照明电路中提供稳定的电流控制。
- 汽车电子：适用于汽车中的各种开关控制及保护电路。
- 遥控设备：用于控制电机驱动和其他执行器。
六、总结
NTR5105PT1G 作为一款高性能的 P 类型 MOSFET，凭借其65V漏源电压、196mA的高电流承载能力、较低的导通电阻以及广泛的适用温度范围，成为了现代电子设备中不可或缺的组成部分。无论在高频开关应用、绿色能源管理，还是在小型化、高密度的电子产品中，NTR5105PT1G 都显示出了良好的可靠性和适应性，是设计工程师们的理想选择。