FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.2 欧姆 @ 1.9A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8.7nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 200pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),25W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-251AA |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
IRFU9110PBF 是一款由著名电子元器件制造商VISHAY(威世)生产的高性能P沟道MOSFET(场效应管)。该器件在电力电子应用中表现出色,广泛应用于电源管理、开关电源及电动机控制等领域。本文将详细介绍该产品的主要参数、应用场景及其优势。
IRFU9110PBF 主要用于:
IRFU9110PBF 提供了一些设计优势:
IRFU9110PBF 是一款性能卓越的P沟道MOSFET,凭借其高功率处理能力、低导通电阻和宽广的工作温度范围,使其成为电力电子领域的理想选择。随着对电力效率和系统集成度需求的不断增加,该器件在未来的电源管理和开关应用中必将发挥越来越重要的作用。无论是在设计高效电源、控制电动机,还是在开发高稳定性的逆变器,IRFU9110PBF都将是一款值得信赖的解决方案。