IRF6668TRPBF
IRF6668TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 55A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.9V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 31nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1320pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta），89W（Tc） | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MZ |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MZ |
IRF6668TRPBF手册
IRF6668TRPBF概述
IRF6668TRPBF 产品概述
一、基本信息
IRF6668TRPBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名的半导体制造商——英飞凌（Infineon）生产。这款 MOSFET 采用先进的 DirectFET™ 封装技术，旨在满足现代电力电子应用中对高效率、高功率密度和紧凑型设计的需求。
二、技术参数
漏源电压 (Vdss): 该 MOSFET 的最大漏源电压为 80V，使其适用于中高压电路，广泛应用于直流-直流转换器、逆变器以及其他需要电压调节的场合。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的条件下，IRF6668TRPBF 可承受高达 55A 的连续漏极电流（Tc），这意味着在正常工作条件下，它能够可靠地处理高电流负载。
导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 的栅极驱动下，该器件在 12A 电流时的最大导通电阻仅为 15 毫欧，确保其在开关时的功率损耗极小，适合用作高频开关电源中的开关元件。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在 100µA 流过时，最大阈值电压为 4.9V，这意味着较低的驱动电压就能有效开启设备，降低了控制电路对驱动电压的要求。
栅极电荷 (Qg): 在 10V 的栅极驱动下，最大栅极电荷为 31nC。低栅极电荷值使得 MOSFET 在高频应用中具有良好的开关特性，提升了系统效率。
输入电容 (Ciss): 在 25V 的输入条件下，最大输入电容为 1320pF，提供了快速充放电能力，适用于快速开关操作的场合。
功率耗散: IRF6668TRPBF 的最大功率耗散在环境温度（Ta）下为 2.8W，在结温（Tc）下可达到 89W，表明其在高负载下也能保持稳定工作，适合严苛环境。
工作温度范围: 该器件支持的工作温度范围为 -40°C 至 150°C，使其在极端工作环境中也能安全使用。
封装类型: 采用 DirectFET™ MZ 封装，具有小型化和优良的热管理特性，促进了空间的有效利用和热耗散效率的提升。
三、应用场景
IRF6668TRPBF MOSFET 广泛应用于多个领域，如：
- 电源管理: 用于高效率的开关电源、降压转换器和升压转换器中，以实现能量的高效传递。
- 电动汽车: 在电动汽车的电池管理系统和电动驱动系统中，提供稳定的电流承载能力，提高动力系统的响应和效率。
- 工业控制: 在伺服电机驱动器、恒压恒流控制电路等工业自动化应用中，表现出色的开关特性和高电流处理能力。
- 再生能源系统: 在光伏逆变器和风能发电中，IRF6668TRPBF 的高效能有助于提升能量转换效率。
四、总结
作为英飞凌的一员，IRF6668TRPBF 是一款充满潜力的 N 通道 MOSFET，凭借其出色的电气性能和广泛的应用领域，能够满足高科技和节能减排的需求。其低导通电阻和高漏源电压的特性，使其在各种中高功率电子设备中具有良好的竞争力。无论是在工业、汽车还是消费电子领域，IRF6668TRPBF 都是设计师理想的选择，能够为用户提供更高效、更稳定的电力解决方案。