IS61WV102416BLL-10TLI
IS61WV102416BLL-10TLI参数
| 制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 包装 | 托盘 |
| 零件状态 | 有源 | 存储器类型 | 易失 |
| 存储器格式 | SRAM | 技术 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 16Mb（1M x 16） | 存储器接口 | 并联 |
| 写周期时间 - 字，页 | 10ns | 电压 - 供电 | 2.4V ~ 3.6V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 48-TFSOP（0.724""，18.40mm 宽） | 供应商器件封装 | 48-TSOP I |
| 访问时间 | 10ns |
IS61WV102416BLL-10TLI手册
IS61WV102416BLL-10TLI概述
IS61WV102416BLL-10TLI 产品概述
IS61WV102416BLL-10TLI 是由美国集成硅解决方案公司（ISSI）制造的一款先进的异步静态随机存取存储器（SRAM）。该存储器以其卓越的性能和高可靠性，广泛应用于各种电子产品中，包括嵌入式系统、计算机、网络设备及其他要求高数据存取速度的应用。
主要特征与规格
存储容量与结构 IS61WV102416BLL-10TLI 提供了 16Mb（即 1M x 16）的存储容量。其内存结构为并行接口，支持高速数据读写，适用于中高频率的运算与数据处理需求。
电源和工作条件 该SRAM的供电电压范围为 2.4V 到 3.6V，满足多种电源设计需求。其工作温度范围从 -40°C 到 85°C，适用于恶劣环境下的应用，这使得它特别适合工业、汽车等领域中的使用。
访问时间 IS61WV102416BLL-10TLI 的访问时间为 10ns，这意味着在进行数据读写操作时，它能够快速响应，从而提高整体系统的性能。这一特性使得它成为需要快速数据存取的应用的首选，比如数据缓存和临时存储。
封装与安装 该器件采用 48-TFSOP（薄型表面贴装封装），具有紧凑的尺寸和优良的焊接性能，方便在各种PCB设计中实现高密度安装。其封装尺寸为 0.724 英寸 x 18.40 毫米，适合于空间缓慢的设计需求。
兼容性与设计灵活性 作为有源的易失性存储器，IS61WV102416BLL-10TLI 具有优秀的读写周期特性，其写周期时间为 10ns。这一效率使得它能够被集成到各种现代电子器件中，增强设备的功能与性能。
应用领域
由于其高速度、宽电压范围和耐高温的特性，IS61WV102416BLL-10TLI 广泛应用于多个行业，包括：
- 计算机领域：用于缓存、临时数据存储以及其他需要快速数据存取的应用。
- 网络设备：在路由器、交换机等网络设备中用作缓存存储器，增强数据处理能力。
- 消费电子产品：在游戏机、电视和智能手机等设备中，被用于图像数据的快速存取。
- 汽车电子：在汽车控制系统和信息娱乐系统中，提供实时数据存取。
- 工业控制：在工业自动化设备中，作为数据缓存存储器，实现高效稳定的数据处理。
结论
IS61WV102416BLL-10TLI 是一款性能卓越、应用广泛的SRAM器件，其先进的技术规格与可靠的工作条件使得其在各类电子产品中成为理想选择。随着对高速数据处理需求的不断增加，这款存储器将在未来的电子设计与应用中占据重要地位。无论是在高性能计算、通信还是工业自动化领域，IS61WV102416BLL-10TLI 都将为设计师提供令人满意的解决方案。