制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A(Ta),27A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 17 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA | Vgs(最大值) | ±20V |
功率耗散(最大值) | 690mW(Ta),20.2W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-WDFN(3.3x3.3) |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN | 漏源电压(Vdss) | 30V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10.3nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 500pF @ 15V |
基本产品编号 | NTTFS4 |
NTTFS4C25NTWG是一款由安森美(ON Semiconductor)制造的高性能N沟道MOSFET,采用8-WDFN(3.3x3.3mm)封装形式。这款场效应管的设计旨在满足现代电子设备对高效能和高稳定性的需求,特别适用于功率管理、开关电源和电机驱动等领域。
1. 电流和电压性能:
2. 驱动电压与导通电阻:
3. 散热能力:
4. 工作温度:
1. 开关特性:
2. 栅极阈值电压(Vgs(th)):
NTTFS4C25NTWG因其卓越的电气特性和较强的散热能力,广泛应用于以下几大领域:
NTTFS4C25NTWG不仅在技术规格上展现出卓越的性能,对于各类现代电子和电气系统的要求都能很好地适应。作为一种高效能的N沟道MOSFET,它是实现能源高效利用和系统优化设计的理想选择。安森美的这款产品结合了优良的温度特性、低导通电阻和高散热能力,能够极大地提升电子设备的工作效能和可靠性。