HSS0127 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

HSS0127

商品编码: BM0095164115
品牌 : 
HUASHUO(华朔)
封装 : 
SOT-23L
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1W 100V 900mA 1个P沟道 SOT-23L
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.916
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.916
--
200+
¥0.632
--
1500+
¥0.574
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

HSS0127参数

功率(Pd)1W反向传输电容(Crss@Vds)20pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)650mΩ@10V,800mA
工作温度-55℃~+150℃漏源电压(Vdss)100V
类型1个P沟道输入电容(Ciss@Vds)553pF@15V
连续漏极电流(Id)900mA阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA

HSS0127手册

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HSS0127概述

HSS0127 产品概述

产品名称:HSS0127
类型:场效应管 (MOSFET)
功率:1W
电压:100V
电流:900mA
极性:P沟道
封装类型:SOT-23L
品牌:HUASHUO(华朔)

一、产品简介

HSS0127是一款高性能的P沟道MOSFET,专为需要高效电源控制和热管理的应用而设计。作为由华朔(HUASHUO)推出的电子元器件,该产品兼具了一流的电气性能与小型化封装,适用于现代电子设计中越来越紧凑的空间要求。

二、技术特性

  1. 封装设计:HSS0127采用SOT-23L小封装,适合在要求低占板面积的电路设计中使用。这种封装不仅有助于减小整体电路板的尺寸,还提升了设备的散热性能。

  2. 高耐压:HSS0127的最大漏极到源极电压(V_DS)可达到100V,这使其在各种高压应用中表现出色。此项特性确保了该MOSFET能够承受列入设计的较高电压,保障了系统的稳定性。

  3. 额定电流:该器件的额定漏极电流为900mA,使其在许多中等功率应用中得以使用,包括开关电源、LED驱动电路、功率放大器等。

  4. 低导通电阻:HSS0127具有较低的R_DS(on),这降低了在工作过程中产生的功耗和热量,提高了整体电路的能效。

  5. 温度范围:其正常工作温度范围广泛,能够适应多种环境条件,确保器件在各种情况下均能稳定运行。

三、应用领域

HSS0127广泛应用于各类电子设备中,尤其是在具有节能要求的场合。主要应用领域包括:

  1. 电源管理:作为开关元件用于DC-DC转换器、直流电源控制等。

  2. LED驱动:能够用于高效的LED照明系统,提供稳定的电流和电压驱动。

  3. 自动化设备:适合在传感器、执行器等自动化设备中用作低功耗开关。

  4. 电机控制:在小型直流电动机驱动电路中使用,实现对电机的高效控制。

  5. 消费电子产品:在便携式设备、个人电子产品等领域,用于电源开关和线性调节。

四、优势总结

  1. 小型化设计:SOT-23L封装使其占用更少的电路板空间,便于集成进多样化的电子设计。
  2. 高效能:优秀的电气特性与节能效益,使得HSS0127在现代电子产品中应用广泛。
  3. 可靠性强:在高压高温环境下的稳定性保证了设备的持续可靠性,有助于延长产品使用寿命。
  4. 性价比高:作为市场上功能强大的P沟道MOSFET之一,HSS0127凭借其优异的性能和合理的价格,为客户提供了极高的性价比。

五、结论

HSS0127是一款卓越的P沟道MOSFET,设计旨在满足现代电子设备对于高效能和小型化的严格要求。凭借其优秀的电气特性和广泛的应用潜力,HSS0127为各种高效能电子项目提供了可靠的解决方案。华朔(HUASHUO)品牌的承诺与质量保证进一步增强了该产品在行业中的竞争力。对于希望在设计中施加更高功率、耐压与精密控制的工程师来说,HSS0127无疑是一个明智的选择。