功率(Pd) | 1W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 20pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 650mΩ@10V,800mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 漏源电压(Vdss) | 100V |
类型 | 1个P沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 553pF@15V |
连续漏极电流(Id) | 900mA | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
产品名称:HSS0127
类型:场效应管 (MOSFET)
功率:1W
电压:100V
电流:900mA
极性:P沟道
封装类型:SOT-23L
品牌:HUASHUO(华朔)
HSS0127是一款高性能的P沟道MOSFET,专为需要高效电源控制和热管理的应用而设计。作为由华朔(HUASHUO)推出的电子元器件,该产品兼具了一流的电气性能与小型化封装,适用于现代电子设计中越来越紧凑的空间要求。
封装设计:HSS0127采用SOT-23L小封装,适合在要求低占板面积的电路设计中使用。这种封装不仅有助于减小整体电路板的尺寸,还提升了设备的散热性能。
高耐压:HSS0127的最大漏极到源极电压(V_DS)可达到100V,这使其在各种高压应用中表现出色。此项特性确保了该MOSFET能够承受列入设计的较高电压,保障了系统的稳定性。
额定电流:该器件的额定漏极电流为900mA,使其在许多中等功率应用中得以使用,包括开关电源、LED驱动电路、功率放大器等。
低导通电阻:HSS0127具有较低的R_DS(on),这降低了在工作过程中产生的功耗和热量,提高了整体电路的能效。
温度范围:其正常工作温度范围广泛,能够适应多种环境条件,确保器件在各种情况下均能稳定运行。
HSS0127广泛应用于各类电子设备中,尤其是在具有节能要求的场合。主要应用领域包括:
电源管理:作为开关元件用于DC-DC转换器、直流电源控制等。
LED驱动:能够用于高效的LED照明系统,提供稳定的电流和电压驱动。
自动化设备:适合在传感器、执行器等自动化设备中用作低功耗开关。
电机控制:在小型直流电动机驱动电路中使用,实现对电机的高效控制。
消费电子产品:在便携式设备、个人电子产品等领域,用于电源开关和线性调节。
HSS0127是一款卓越的P沟道MOSFET,设计旨在满足现代电子设备对于高效能和小型化的严格要求。凭借其优秀的电气特性和广泛的应用潜力,HSS0127为各种高效能电子项目提供了可靠的解决方案。华朔(HUASHUO)品牌的承诺与质量保证进一步增强了该产品在行业中的竞争力。对于希望在设计中施加更高功率、耐压与精密控制的工程师来说,HSS0127无疑是一个明智的选择。