晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 30V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 750mV @ 200mA,2A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,2V |
功率 - 最大值 | 500mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SuperSOT-3 |
产品简介
FMMT549是一款高性能的PNP型结型晶体管(BJT),专为各种电子电路的应用而设计。它适用于低功率放大和开关应用,具有良好的频率响应和稳定的电流增益特性。该元器件由安森美(ON Semiconductor)制造,采用SuperSOT-3封装,具有高集成度和紧凑的体积,便于在空间受限的环境中使用。
主要特性
电气参数:
极低的集电极截止电流(ICBO):在集电极截止状态下,最大集电极电流为100nA,确保了在无信号情况下的低功耗,使该晶体管具备优秀的待机性能。
DC电流增益(hFE):在500mA和2V的条件下,最小电流增益为100,表现出较强的放大能力,适合于信号放大和开关控制应用。
操作频率:FMMT549具备高达100MHz的跃迁频率,非常适合高频应用,如射频放大器和开关电源电路。
耐温性能:其工作温度范围可高达150°C(TJ),使其在高温环境下运行也不会出现性能下降,适合恶劣环境应用。
封装与安装类型:FMMT549采用表面贴装型(SMD)SuperSOT-3封装,便于自动化生产和贴装,适合现代电子设备的紧凑布局。
应用场景
FMMT549适用于广泛的电子应用,包括但不限于:
总结
FMMT549是一款高效、可靠的PNP型晶体管,广泛适用于需要低功耗与高集成度的电子电路。其卓越的电气性能、良好的温度特性以及适应性强的封装设计,确保其在多种应用场合中的表现优异。安森美(ON Semiconductor)凭借其在半导体领域的丰富经验和技术背景,提供了这一高质量的晶体管解决方案,是工程师和设计师开发电子产品的理想选择。