FMMT549 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

FMMT549

商品编码: BM0095158045
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SuperSOT-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.035g
描述 : 
三极管(BJT) 500mW 30V 1A PNP SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.45
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.45
--
100+
¥1.15
--
750+
¥1.03
--
1500+
¥0.973
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

FMMT549参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A
电压 - 集射极击穿(最大值)30V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)750mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 500mA,2V
功率 - 最大值500mW频率 - 跃迁100MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SuperSOT-3

FMMT549手册

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FMMT549概述

FMMT549 产品概述

产品简介

FMMT549是一款高性能的PNP型结型晶体管(BJT),专为各种电子电路的应用而设计。它适用于低功率放大和开关应用,具有良好的频率响应和稳定的电流增益特性。该元器件由安森美(ON Semiconductor)制造,采用SuperSOT-3封装,具有高集成度和紧凑的体积,便于在空间受限的环境中使用。

主要特性

  1. 电气参数

    • 集电极电流(Ic):支持最大1A的集电极电流,使其能够在多种负载条件下工作。
    • 集射极击穿电压(Vceo):额定击穿电压高达30V,确保了其在多种高压应用中的稳定性和可靠性。
    • 饱和压降(Vce(sat)):在200mA和2A的负载条件下,最大饱和压降为750mV,这有助于降低功耗,优化电路性能。
  2. 极低的集电极截止电流(ICBO):在集电极截止状态下,最大集电极电流为100nA,确保了在无信号情况下的低功耗,使该晶体管具备优秀的待机性能。

  3. DC电流增益(hFE):在500mA和2V的条件下,最小电流增益为100,表现出较强的放大能力,适合于信号放大和开关控制应用。

  4. 操作频率:FMMT549具备高达100MHz的跃迁频率,非常适合高频应用,如射频放大器和开关电源电路。

  5. 耐温性能:其工作温度范围可高达150°C(TJ),使其在高温环境下运行也不会出现性能下降,适合恶劣环境应用。

  6. 封装与安装类型:FMMT549采用表面贴装型(SMD)SuperSOT-3封装,便于自动化生产和贴装,适合现代电子设备的紧凑布局。

应用场景

FMMT549适用于广泛的电子应用,包括但不限于:

  • 信号放大器:因其出色的增益特性,非常适合用于音频、视频、射频信号的放大。
  • 开关电路:在低电压高电流开关应用中,FMMT549提供了良好的开关性能,适用于驱动继电器、LED及其他负载。
  • 低功耗电子设备:由于具有低截止电流和饱和压降性能,FMMT549非常适合移动设备和便携式电子产品,能够延长电池寿命。
  • 温控系统:其耐高温能力使其能够在高温环境中运行,适合汽车电子和工业控制应用。

总结

FMMT549是一款高效、可靠的PNP型晶体管,广泛适用于需要低功耗与高集成度的电子电路。其卓越的电气性能、良好的温度特性以及适应性强的封装设计,确保其在多种应用场合中的表现优异。安森美(ON Semiconductor)凭借其在半导体领域的丰富经验和技术背景,提供了这一高质量的晶体管解决方案,是工程师和设计师开发电子产品的理想选择。