存储器类型 | 易失 | 存储器格式 | SRAM |
技术 | SRAM - 异步 | 存储容量 | 256Kb (32K x 8) |
存储器接口 | 并联 | 写周期时间 - 字,页 | 12ns |
访问时间 | 12ns | 电压 - 供电 | 4.5V ~ 5.5V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) | 供应商器件封装 | 28-SOJ |
IS61C256AL-12JLI 是一种高性能的静态随机存取存储器(SRAM),属于美国芯成(ISSI)品牌。该产品的存储容量为256Kb,采用32K x 8位的存储格式,旨在满足工业及消费电子领域对高速度和高可靠性的需求。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适合在严苛环境下使用,提供优异的稳定性和可靠性。
存储器类型与结构: IS61C256AL-12JLI 属于易失性存储器类别,其异步SRAM技术提供快速的访问时间与写入时间,确保在高频应用中的高效性能。
性能参数:
电源电压: 该SRAM的工作电压范围为4.5V到5.5V,符合多种供电电路设计要求,提供灵活的电源管理选项。
温度范围: 设备可以在-40℃到85℃的温度范围内稳定工作,适用于工业控制、汽车电子、通讯设备及其他需要耐高温和低温操作的应用场合。
安装与封装: IS61C256AL-12JLI 采用28-BSOJ表面贴装型封装,体积紧凑,适合密集电路板设计。该封装型式使得其在布局上具有更大的灵活性,同时可有效节省电路板空间。
IS61C256AL-12JLI 的设计目标为多种应用领域,包括但不限于:
该SRAM产品由于其先进的制造工艺与设计,具备高写入耐久性与数据保持能力。在电源断电或失效情况下,能够快速恢复数据,保证信息不丢失。因此,IS61C256AL-12JLI尤其适合对数据完整性要求极高的应用场合。
IS61C256AL-12JLI 是一款融合了高效率、高可靠性与宽广工作温度范围的256Kb SRAM,适合各种严苛环境下的应用需求。凭借其优越的性能参数和灵活的封装设计,使其成为工业、通讯及汽车电子领域理想的存储解决方案。选择 IS61C256AL-12JLI,不仅是选择了一款高性能的存储器,更是为产品的可靠性与稳定性保驾护航。